晶圆处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：晶圆电镀前处理装置；所述晶圆电镀前处理装置用于对晶圆进行电镀前处理；晶圆电镀装置；所述晶圆电镀装置用于对晶圆进行电镀处理；晶圆清洗装置；所述晶圆清洗装置用于对电镀后的晶圆进行清洗处理；机械手；所述机械手用于将晶圆从上述一个装置运送至另一个装置。本发明专利技术的晶圆处理装置将晶圆电镀前处理装置、晶圆电镀装置、晶圆清洗装置有机结合，通过机械手运送晶圆，大大提高了工作效率，节省人力，晶圆运送稳定性提高，降低了晶圆损坏、报废的概率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置
本专利技术涉及晶圆制造领域，特别涉及一种晶圆处理装置。
技术介绍
晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。对晶圆的处理一般包括对晶圆进行电镀前处理、电镀处理、清洗处理等。现有技术中，上述处理一般分散在不同的车间进行，需要工人将晶圆从一个车间运送至另一个车间，稳定性差、晶圆易损坏，且耗时耗力，效率低，劳动强度大。在晶圆上电镀一层导电金属，并对导电金属层进行加工以制成导电线路。而晶圆生产过程中，晶圆表面会形成沟槽，还会形成盲孔。长期生产实践证明，晶圆表面的沟槽或盲孔内易储存气泡。电镀液难以到达盲孔内，由于电镀液无法到达盲孔内，因此盲孔内表面无法达到电镀要求，降低电镀品质。因此，为提高电镀质量，需要处理晶圆以去除晶圆表面的杂质及盲孔内的气泡。现有技术中，一般采用人工手持晶圆将晶圆浸泡在前处理液中，稳定性差、晶圆易损坏，处理效果差，且耗时耗力，效率低，劳动强度大。传统的晶圆电镀设备，多采用手工将晶圆放入电镀槽内，电镀设备自动化程度低，生产效率低，稳定性差，晶圆的电镀品质差、良品率低。且现有的电镀设备多为垂直电镀设备，垂直电镀的电镀液本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶圆处理装置，其特征在于，包括：晶圆电镀前处理装置；所述晶圆电镀前处理装置用于对晶圆进行电镀前处理；晶圆电镀装置；所述晶圆电镀装置用于对晶圆进行电镀处理；晶圆清洗装置；所述晶圆清洗装置用于对电镀后的晶圆进行清洗处理；机械手；所述机械手用于将晶圆从上述一个装置运送至另一个装置。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：晶圆电镀前处理装置；所述晶圆电镀前处理装置用于对晶圆进行电镀前处理；晶圆电镀装置；所述晶圆电镀装置用于对晶圆进行电镀处理；晶圆清洗装置；所述晶圆清洗装置用于对电镀后的晶圆进行清洗处理；机械手；所述机械手用于将晶圆在晶圆电镀前处理装置、晶圆电镀装置、晶圆清洗装置中任意两个装置之间运送；其中，所述晶圆电镀前处理装置包括：处理槽；所述处理槽设有第二容腔；所述第二容腔用于存放电镀前处理液；晶圆承载装置；所述晶圆承载装置用于承载晶圆；所述晶圆承载装置可相对所述处理槽做升降运动，承载晶圆进入或移出所述第二容腔；所述晶圆承载装置包括第三支架和至少一个晶圆支撑结构；所述晶圆支撑结构安装在所述第三支架上，每个所述晶圆支撑结构支撑一个晶圆地设置；所述晶圆支撑结构包括第一支撑板；所述第一支撑板呈弧形；所述第一支撑板上设有至少一个挡板；所述挡板沿竖直方向延伸，并高出所述第一支撑板；所述晶圆支撑结构还包括第二支撑板；所述第二支撑板呈弧形；所述第二支撑板与所述第一支撑板间隔设置，并通过所述挡板与所述第一支撑板连接；所述晶圆支撑结构通过销钉可转动地安装在所述第三支架上；所述晶圆支撑结构转动后，所述晶圆支撑结构上设有挡板的一侧下降。2.根据权利要求1所述的一种晶圆处理装置，其特征在于，还包括晶圆存储盒开盖装置；所述晶圆存储盒开盖装置用于打开或关闭晶圆存储盒；所述晶圆存储盒开盖装置包括：第一支撑台；所述第一支撑台用于支撑晶圆存储盒；盒盖抓取装置；所述盒盖抓取装置设置在所述第一支撑台的一侧，用于抓取晶圆存储盒的盒盖；所述盒盖抓取装置可相对所述第一支撑台移动。3.根据权利要求2所述的一种晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆存储盒开盖装置还包括定位装置；所述定位装置包括两个以上定位柱；所述定位柱设置在所述第一支撑台上并凸出所述第一支撑台；晶圆存储盒上设有与所述定位柱相适应的第一插孔或第一插槽；所述晶圆存储盒开盖装置还包括第一位置检测装置；所述第一位置检测装置用于检测晶圆存储盒是否位于指定的位置；所述第一位置检测装置包括至少一个活动块；所述活动块设置在所述第一支撑台上凸出所述第一支撑台，且可相对所述第一支撑台做升降运动；每个所述活动块的下方均设有一个开关；所述活动块下降后开启所述开关或关闭所述开关。4.根据权利要求2所述的一种晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆存储盒开盖装置还包括第一支架；所述第一支架包括第一底座和竖板；所述第一支撑台可移动地设置在所述第一底座上；所述竖板设置在所述第一底座的一侧；所述竖板设置有第一通孔；所述盒盖抓取装置包括盖板；所述盖板可拆卸地设置在所述竖板上并封住所述第一通孔；所述第一底座和所述盖板分别位于所述竖板的两侧。5.根据权利要求1所述的一种晶圆处理装置，其特征在于，还包括晶圆位置校准装置；所述晶圆位置校准装置用于对晶圆的位置进行校准；所述晶圆位置校准装置包括：第二支架；支撑装置；所述支撑装置可移动地设置在所述第二支架上，用于支撑晶圆；第二位置检测装置；所述第二位置检测装置用于检测晶圆的位置；所述支撑装置可支撑晶圆并将晶圆移动至可被所述第二位置检测装置检测到的位置；第五驱动装置；所述第五驱动装置驱动所述支撑装置转动或通过第五传动装置驱动所述支撑装置转动；所述第五驱动装置为第五伺服电机或第五气缸；第六驱动装置；所述第六驱动装置驱动所述支撑装置水平移动或通过第六传动装置驱动所述支撑装置水平移动；所述第六驱动装置为第六伺服电机或第六气缸。6.根据权利要求5所述的一种晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆位置校准装置还包括至少两根支撑柱；所述支撑柱设置在所述第二支架上，用于支撑晶圆；所述至少两根支撑柱的上端高度相同；所述至少两根支撑柱沿圆周方向均匀分布；所述至少两根支撑柱环绕所述支撑装置；所述支撑装置可相对所述支撑柱做升降运动；所述支撑装置升降，其上表面高于或低于所述支撑柱的上端；所述支撑柱的数量为四根。7.根据权利要求1所述的一种晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆电镀前处理装置还包括：晶圆电镀前处理装置第八驱动装置；所述第八驱动装置驱动所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振荣，黄利松，刘红兵，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31