本实用新型专利技术公开一种用于半导体设备的排气装置，属于半导体设备技术领域，包括可连接在工艺腔体上的压力控制器，压力控制器的另一端装有排气管(3)，排气管上装有用于抽气的高真空泵和低真空泵，高真空泵、低真空泵的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门，还包括安装在排气管内的旋转力施加装置(7)；旋转力施加装置包括螺旋扇(8),螺旋扇的外侧设有装置外壳，螺旋扇通过支撑杆固定在装置外壳内；旋转力施加装置安装在排气管内弯曲部(3A)的两侧。本实用新型专利技术的装置能有效抑制并防止污染物附着在排气管内壁上，避免造成杂质富集，并通过持续稳定、大范围的排气压力，使污染物更彻底的被排出，保证了生产效率及产品良率。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种排气装置，特别涉及一种用于半导体设备的排气装置，属于半导体设备
技术介绍
现有半导体元件是通过各种工艺对晶片加工制造而成的，为了进行各种工艺需要将生产设备与外界环境隔离，形成密闭的内部生产空间，这种空间即为工艺腔体(processchamber)。加工时，工艺腔体内部需要形成洁净的高真空状态，但随着工艺的进行，腔体内部会生成各种杂质，为了保证生产中的晶体不受污染，需将各种杂质通过排气的方式完全排出。例如在蚀刻(etching)设备上进行蚀刻时，先使工艺腔体内形成高真空状态，待内部形成等离子体后，向腔体内注入所需的工艺气体，进而将晶体上的特定区域切除。随着工艺的进行，腔体内未反应的工艺气体、反应副产物、颗粒、聚合物等各种杂质富集，如不能及时排出，会污染晶片，导致产品良率降低。因此，为将工艺过程中产生的各种杂质污染物排出，需在工艺腔体内安装结构如图1所示的真空排气装置，该装置包括连接在工艺腔体I上的压力控制器2和通往外部的排气管3，排气管3上装有高、低真空泵和控制阀门4，使用时，通过低真空泵6进行第一次抽气使排气管3的压力降到一定的程度后，打开靠近低真空泵6的阀门4，再通过高真空泵5进行二次抽气，然后打开靠近压力控制器2的阀门4，通过上述一连串的动作将杂质污染物从工艺腔体I内完全排出。使用中发现，杂质污染物经排气管3排出的过程中，会有部分杂质附着在排气管3的内壁上，特别是对于非直筒型排气管，如本身存在弯曲部分的排气管，由于污染物不能顺畅通过排气管的曲折部位，很容易在管道内壁上沉积，导致排气装置抽气能力下降，影响工艺的顺畅进行，严重者会导致设备频繁的停机，使生产效率下降；另外若杂质污染物不能完全的清除，会使基板受到污染，进而导致产品良率下降。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本技术提供一种用于半导体设备的排气装置，可使排气管内的杂质污染物顺畅的排出，有效防止污染物堆积或吸附在排气管内壁上，保障产品良率及设备的正常运行。为了实现上述目的，本技术采用的一种用于半导体设备的排气装置，包括可连接在工艺腔体上的压力控制器，压力控制器的另一端装有排气管，排气管上装有用于抽气的高真空泵和低真空泵，高真空泵安装在压力控制器和低真空泵之间，所述的高真空泵的一侧、低真空泵的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门，还包括安装在排气管内的旋转力施加装置；所述的旋转力施加装置包括可随着排气管内气流产生自旋转的螺旋扇，螺旋扇的外侧设有可安装在排气管上的装置外壳，螺旋扇通过支撑杆固定在装置外壳内；所述的旋转力施加装置安装在排气管内弯曲部的两侧。进一步的，螺旋扇固定在安装轴上，安装轴固定在支撑杆上，所述的安装轴可在支撑杆上作自旋转运动。进一步的，支撑杆的两端设有连接螺纹，装置外壳上设有与连接螺纹配合的螺纹，支撑杆与装置外壳通过螺纹连接。进一步的，旋转力施加装置安装在弯曲部的两侧，每侧安装一个。进一步的，装置外壳为环状，装置外壳通过连接件安装在排气管上。与传统的排气装置相比，本技术的装置通过在排气管内安装旋转力施加装置，当气管内有气流时，带动螺旋扇自旋转，流经螺旋扇的气流受到螺旋力的作用，进而形成更强的气流，将排气管内的杂质污染物排出；同时螺旋扇能将原有的直线气流转变成螺旋气流，气流流经范围更广，杂质清除面积大。本技术的装置能有效抑制并防止污染物附着在排气管内壁上，避免造成杂质富集，并通过持续稳定、大范围的排气压力，使污染物更彻底的被排出，保证了生产效率及产品良率。【附图说明】图1为现有的真空排气装置的结构示意图；图2为本技术的结构示意图；图3为图2的局部放大图及排气管内部气流运动示意图；图4为本技术中旋转力施加装置的结构示意图；图5为图4中内部结构示意图；图中:1、工艺腔体，2、压力控制器，3、排气管，3A、弯曲部，4、阀门，5、高真空泵，6、低真空泵，7、旋转力施加装置，8、螺旋扇，9、支撑杆，9A、连接螺纹，10、装置外壳，11、安装轴。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步说明。如图2所示，一种用于半导体设备的排气装置，包括可连接在工艺腔体I上的压力控制器2，压力控制器2的另一端装有排气管3，排气管3上装有用于抽气的高真空泵5和低真空泵6，高真空泵5安装在压力控制器2和低真空泵6之间，所述的高真空泵5的一侧、低真空泵6的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门4，还包括安装在排气管3内的旋转力施加装置7 ；所述的旋转力施加装置7包括可随着排气管3内气流产生自旋转的螺旋扇8，螺旋扇8的外侧设有可安装在排气管3上的装置外壳10，螺旋扇8通过支撑杆9固定在装置外壳10内；所述的旋转力施加装置7安装在排气管3内弯曲部3A的两侧。如图4、图5所示，螺旋扇8固定在安装轴11上，安装轴11固定在支撑杆9上，所述的安装轴11可在支撑杆9上作自旋转运动，通过安装轴11的自旋转带动螺旋扇8的转动，有效产生旋转气流，气流方向如图3所示，将排气管3内的杂质进行彻底清除，特别是可以有效排出弯曲部3A处的杂质。支撑杆9的两端设有连接螺纹9A，装置外壳10上设有与连接螺纹9A配合的螺纹，支撑杆9与装置外壳10通过螺纹连接，结构简单、加工方便，同时采用螺纹连接，两者拆卸方便、安装简单。旋转力施加装置7安装在弯曲部3A的两侧，每侧安装一个，在弯曲部3A的每侧安装一个能产生旋转气流的螺旋扇8，可以对弯曲部3A的气管死角进行彻底清除，有效保障排气管3的畅通。装置外壳10为环状，与排气管3的形状吻合，装置外壳10通过连接件安装在排气管3上，采用的连接件可以为法兰、卡套等结构，连接安装方便，整体结构简单。使用时，将螺旋扇8安装在安装轴11上，再将安装轴11安装在支撑杆9上，通过螺纹连接将支撑杆9固定在装置外壳10上，组装后的旋转力施加装置7通过连接件安装在排气管3上；当排气管3内有气流经过时，螺旋扇8将直线型气流改变成螺旋型气流，有效清除排气管3内侧壁上的杂质污染物，对于排气管3内的弯曲部3A上的污染物，也可通过螺旋气流进行有效排出，避免了传统排气装置存在的污染物清理不彻底的问题。【主权项】1.一种用于半导体设备的排气装置，包括可连接在工艺腔体(I)上的压力控制器(2)，压力控制器(2)的另一端装有排气管(3)，排气管(3)上装有用于抽气的高真空泵(5)和低真空泵(6)，高真空泵(5)安装在压力控制器(2)和低真空泵(6)之间，所述的高真空泵(5)的一侧、低真空泵(6)的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门(4)，其特征在于，还包括安装在排气管(3)内的旋转力施加装置(7); 所述的旋转力施加装置(7)包括可随着排气管(3)内气流产生自旋转的螺旋扇(8)，螺旋扇(8)的外侧设有可安装在排气管(3)上的装置外壳(10)，螺旋扇(8)通过支撑杆(9)固定在装置外壳(10)内； 所述的旋转力施加装置(7)安装在排气管(3)内弯曲部(3A)的两侧。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体设备的排气装置，其特征在于，所述的螺旋扇(8)固定在安装轴(11)上，安装轴(11)固定在支撑杆(9)上，所述的安装轴(11)可在支撑杆(9)上作自旋转运动。3.根据权利要求1或2所述的一种用于半导体设备的排气装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于半导体设备的排气装置，包括可连接在工艺腔体(1)上的压力控制器(2)，压力控制器(2)的另一端装有排气管(3)，排气管(3)上装有用于抽气的高真空泵(5)和低真空泵(6)，高真空泵(5)安装在压力控制器(2)和低真空泵(6)之间，所述的高真空泵(5)的一侧、低真空泵(6)的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门(4)，其特征在于，还包括安装在排气管(3)内的旋转力施加装置(7)；所述的旋转力施加装置(7)包括可随着排气管(3)内气流产生自旋转的螺旋扇(8),螺旋扇(8)的外侧设有可安装在排气管(3)上的装置外壳(10)，螺旋扇(8)通过支撑杆(9)固定在装置外壳(10)内；所述的旋转力施加装置(7)安装在排气管(3)内弯曲部(3A)的两侧。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔相玉，魏明德，金惠东，金度亨，
申请(专利权)人：徐州同鑫光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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