区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法技术

本发明专利技术提供一种区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，所述衬底预先经过缺陷扫描，在所述缺陷扫描之后，还包括：利用酸性溶液对所述衬底进行清洗；对清洗后的衬底再次进行缺陷扫描；将清洗后的衬底上的缺陷扫描结果与清洗前的衬底上的缺陷扫描结果进行对比，若清洗后衬底上的缺陷数目变多，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷划伤缺陷，若清洗后衬底上的缺陷数目减少，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为颗粒缺陷。本发明专利技术能够用于区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷，用于对衬底表面的缺陷的情况进行监控。

【技术实现步骤摘要】
区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种用于区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法。
技术介绍
化学机械研磨(Chemical Metal polish, CMP)工艺是半导体工艺过程中重要的工艺步骤，用于对衬底进行平坦化工艺。为了保证工艺质量，在CMP工艺后，现有技术会采用检测设备，对衬底表面进行缺陷扫描。现有技术采用SPl设备对衬底表面进行缺陷扫描，当SPl设备检测到衬底表面的颗粒缺陷超标时，本领域技术人员就直接对半导体设备进行一系列的处理或者维护保养。然而，SPl设备在进行缺陷扫描时仅整体分析衬底上的缺陷，统计CMP工艺在衬底上形成的缺陷数目，但是无法区分颗粒(particle)缺陷与划伤(scratch)缺陷，如果能够区分颗粒缺陷与划伤缺陷，则可以根据颗粒缺陷与划伤缺陷的分布和数目对半导体设备进行对应的处理和维护保养，节省不必要的保养时间，提高半导体设备的利用率(uptime)。 因此，需要一种方法能够区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷。
技术实现思路
本专利技术解决的问题提供一种区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，用于对衬底表面的缺陷的情况进行监控。 为解决上述问题，本专利技术提供一种区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，所述衬底预先经过缺陷扫描，在所述缺陷扫描之后，还包括:利用酸性溶液对所述衬底进行清洗；对清洗后的衬底再次进行缺陷扫描；将清洗后的衬底上的缺陷扫描结果与清洗前的衬底上的缺陷扫描结果进行对比，若清洗后衬底上的缺陷数目变多，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷划伤缺陷，若清洗后衬底上的缺陷数目减少，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为颗粒缺陷。 可选地，所述酸性溶液浓度为0.4% -0.1 %。 可选地，所述缺陷扫描利用SPl设备进行。 可选地，所述SPl设备扫描的颗粒缺陷和划伤缺陷的尺寸大于0.2微米。 可选地，所述衬底的材质为硅。 可选地，所述酸性溶液为氢氟酸溶液。 可选地，所述氢氟酸溶液的浓度范围为0.4% -0.1 %。 可选地，所述清洗时间为1-50秒。 可选地，所述清洗时间为5-30秒。 可选地，预先缺陷扫描与清洗后的缺陷扫描采用相同的扫描程序进行。 与现有技术相比，本专利技术具有以下优点: 本专利技术利用低浓度酸性溶液对衬底进行清洗，若CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为划伤缺陷，则该划伤缺陷会因为低浓度酸性溶液的腐蚀作用而变多，因此，在清洗工艺后对该衬底再次进行扫描会发现该衬底上的缺陷数目会增多，若CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为颗粒缺陷，则在清洗工艺后对该衬底再次进行扫描会发现该衬底上的缺陷数目会增多，因此，本专利技术正是通过对比清洗前后衬底上的缺陷扫描结果，若清洗工艺后该半导体衬底上的缺陷数目增多，则CMP工艺后该衬底上的缺陷为划伤缺陷，若清洗工艺后该半导体衬底上的缺陷数目减少，则CMP工艺后该衬底上的缺陷为颗粒缺陷，实现了区分颗粒缺陷与划伤缺陷。 【附图说明】 图1是本专利技术一个实施例的区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法的流程示意图。 【具体实施方式】 在CMP工艺完成后，现有技术利用SPl设备对衬底表面的缺陷进行检测，目的是确认在CMP工艺在衬底表面形成的缺陷的数目。但是利用现有技术SPl无法区分，CMP工艺在该衬底上形成的缺陷是划伤缺陷还是颗粒缺陷。 专利技术人发现，低浓度酸性溶液对划伤缺陷有腐蚀作用，对颗粒缺陷有清洗作用，经过低浓度酸性溶液的清洗，衬底上的划伤缺陷尺寸因为酸性溶液的腐蚀作用而变大，很多小于0.2微米的划伤缺陷被腐蚀成大于0.2微米而被SPl检测到，所以若CMP工艺后衬底上的缺陷为划伤缺陷，则在清洗之后对衬底进行再次缺陷扫描，会发现衬底上的缺陷数目会增多，反之，若CMP工艺后衬底上的缺陷为颗粒缺陷，则在清洗之后对衬底进行再次缺陷扫描，会发现衬底上的缺陷数目减少，因此，在利用低溶度酸性溶液对衬底进行清洗后，对衬底进行再次缺陷扫描，根据清洗后的衬底缺陷扫描的结果与清洗前的缺陷扫描的结果进行对比，可以将CMP工艺在衬底上形成的划伤缺陷与颗粒缺陷进行区分。 为了解决上述问题，本专利技术解决的问题提供一种区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，用于对衬底表面的缺陷的情况进行监控。 请参考图1所示的本专利技术一个实施例的区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法的流程示意图，所述衬底预先经过缺陷扫描。 步骤SI，利用酸性溶液对所述衬底进行清洗，所述酸性溶液具有低浓度，其浓度范围为0.4% -0.1 %。作为一个实施例，所述酸性溶液为低浓度氢氟酸溶液，且所述氢氟酸溶液的浓度为0.4% -0.1 %。所述浓度为质量浓度。经过上述清洗过程，若CMP工艺后衬底上的缺陷为划伤缺陷，则在清洗工艺后再次进行缺陷扫描，清洗后的衬上的缺陷的数目会因为氢氟酸溶液的轻微腐蚀而增多，若CMP工艺后衬底上的缺陷为颗粒缺陷，则在清洗工艺后再次进行缺陷扫描，清洗后的衬上的缺陷的数目则会因为清洗作用而减少。所述衬底的材质为硅。所述清洗时间范围为1-50秒，作为优选的实施例，所述清洗时间范围为5-30秒。 步骤S2，对清洗后的衬底进行缺陷扫描。所述缺陷扫描利用SPl设备进行，所述SPl设备扫描的颗粒缺陷和划伤缺陷的尺寸大于0.2微米。所述清洗后的缺陷扫描与预先缺陷扫描的采用相同的扫描程序，以避免由于扫描程序造成测量误差。 步骤S3，将清洗后的衬底上的缺陷扫描结果与清洗前的衬底上的缺陷扫描结果进行对比，若清洗后衬底上的缺陷数目变多，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷划伤缺陷，若清洗后衬底上的缺陷数目减少，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为颗粒缺陷。 综上，本专利技术利用低浓度酸性溶液对衬底进行清洗，若CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为划伤缺陷，则该划伤缺陷会因为低浓度酸性溶液的腐蚀作用而变多，因此，在清洗工艺后对该衬底再次进行扫描会发现该衬底上的缺陷数目会增多，若CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为颗粒缺陷，则在清洗工艺后对该衬底再次进行扫描会发现该衬底上的缺陷数目会增多，因此，本专利技术正是通过对比清洗前后衬底上的缺陷扫描结果，若清洗工艺后该半导体衬底上的缺陷数目增多，则CMP工艺后该衬底上的缺陷为划伤缺陷，若清洗工艺后该半导体衬底上的缺陷数目减少，则CMP工艺后该衬底上的缺陷为颗粒缺陷，实现了区分颗粒缺陷与划伤缺陷。 因此，上述较佳实施例仅为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，所述衬底预先经过缺陷扫描，在所述缺陷扫描之后，其特征在于，还包括：利用酸性溶液对所述衬底进行清洗；对清洗后的衬底再次进行缺陷扫描；将清洗后的衬底上的缺陷扫描结果与清洗前的衬底上的缺陷扫描结果进行对比，若清洗后衬底上的缺陷数目变多，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷划伤缺陷，若清洗后衬底上的缺陷数目减少，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为颗粒缺陷。

【技术特征摘要】
1.一种区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，所述衬底预先经过缺陷扫描，在所述缺陷扫描之后，其特征在于，还包括:利用酸性溶液对所述衬底进行清洗；对清洗后的衬底再次进行缺陷扫描；将清洗后的衬底上的缺陷扫描结果与清洗前的衬底上的缺陷扫描结果进行对比，若清洗后衬底上的缺陷数目变多，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷划伤缺陷，若清洗后衬底上的缺陷数目减少，则该CMP工艺在该衬底上形成的缺陷为颗粒缺陷。2.如权利要求1所述的区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，其特征在于，所述酸性溶液浓度为0.4% -0.1 %。3.如权利要求1所述的区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，其特征在于，所述缺陷扫描利用SPl设备进行。4.如权利要求3所述的区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，其特征在于，所述SPl设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：李协吉，李儒兴，程君，陶仁峰，胡海天，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31