涂胶工艺的缺陷监控方法技术

本发明专利技术提供了一种涂胶工艺的缺陷监控方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。本发明专利技术有利于提高发现缺陷的概率，减少或避免漏扫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种。
技术介绍
光刻工艺是半导体加工工艺中的重要步骤，光刻工艺主要包括涂胶、曝光、显影等。涂胶工艺过程中的缺陷监控是光刻工艺控制中的重点，对于提高产品良率有着重要意义。现有技术中涂胶工艺主要包括在半导体衬底上静态喷涂预定量(如2cc)的有机溶剂；然后高速旋转该半导体衬底，使得有机溶剂在半导体衬底表面洒开，在有机溶剂洒开的同时，在半导体衬底的表面上同时喷涂光刻胶，由于有机溶剂的润滑作用，光刻胶可以迅速地铺满整个半导体衬底表面，达到理想的喷涂效果。涂胶工艺中由于有机溶剂的质量问题或是设备的问题，可能会产生小气泡(tiny bubble)等缺陷，会对后续的光刻过程造成影响。现有技术中常规的缺陷监控方法是在涂胶之后首先进行曝光和显影，然后再进行缺陷扫描，但是该方法存在漏扫问题，发现缺陷的概率很低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，提高发现缺陷的概率，减少或避免漏扫。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。可选地，使用扫描电镜对所述光刻胶进行缺陷扫描。可选地，所述缺陷扫描过程为暗场扫描。可选地，所述有机溶剂包括1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯和1-甲氧基-2-丙醇的混合物。可选地，所述有机溶剂中1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯的重量百分比为至31%， 1-甲氧基-2-丙醇的重量百分比为69%至71%。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点本专利技术实施例的中，在涂胶之后、曝光之前对光刻胶进行缺陷扫描，避免了曝光、显影阶段造成的缺陷对监控结果的干扰；而且由于缺陷扫描过程是在曝光、显影之前，因此，涂胶过程中的缺陷密度并不会被稀释，有利于提高发现缺陷的概率。进一步地，本专利技术实施例的采用的是暗场扫描，其扫描速度较快，有利于降低缺陷扫描的时间开销，提高效率。 附图说明图1是本专利技术实施例的的流程示意图；图2至图4是本专利技术实施例的中各步骤的剖面结构示意图。具体实施例方式现有技术中是在曝光和显影之后进行缺陷扫描，由于显影后缺陷密度被大幅稀释，较难发现涂胶工艺过程中所造成的缺陷，而且即使发现了缺陷，也很难判定是涂胶工艺过程中造成的缺陷还是显影过程中造成的缺陷，不利于涂胶工艺的监控。本专利技术实施例的中，在涂胶之后、曝光之前对光刻胶进行缺陷扫描，避免了曝光、显影阶段造成的缺陷对监控结果的干扰；而且由于缺陷扫描过程是在曝光、显影之前，因此，涂胶过程中的缺陷密度并不会被稀释，有利于提高发现缺陷的概率。进一步地，本专利技术实施例的采用的是暗场扫描，其扫描速度较快，有利于降低缺陷扫描的时间开销，提高效率。下面结合具体实施例和附图对本专利技术作进一步说明，但不应以此限制本专利技术的保护范围。图1示出了本实施例的，包括步骤Sl 1，提供半导体衬底；步骤S12，在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；步骤S13，在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；步骤S14，在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。图2至图4示出了本实施例的流程示意图，下面结合图 1和图2至图4对本实施例进行详细说明。结合图1和图2，执行步骤S11，提供半导体衬底10。半导体衬底10可以是硅衬底、锗硅衬底、III-V族元素化合物衬底、或绝缘体上硅结构，或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底，本实施例中所采用的是空白的硅片，即控片。之后执行步骤S12，在半导体衬底10上喷涂有机溶剂。本实施例中该有机溶剂为 RRC溶剂，其组成成分包括1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯和1-甲氧基-2-丙醇的混合物，其中 1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯的重量百分比为至31%，1-甲氧基-2-丙醇的重量百分比为 69%至 71%。喷涂有机溶剂之后，可以驱动半导体衬底10高速旋转，使得喷涂的有机溶剂在半导体衬底的表面洒开。之后结合图1和图3，执行步骤S13，在半导体衬底10上旋涂光刻胶11。由于之前在半导体衬底10的表面上喷涂了有机溶剂，溶剂的润滑作用可以使得光刻胶11迅速覆盖整个半导体衬底10的表面。之后执行步骤S14，在旋涂光刻胶11之后，对光刻胶11进行曝光之前，对光刻胶11进行缺陷扫描。缺陷扫描的过程可以使用扫描电镜来进行，扫描过程优选为暗场扫描。更具体地，本实施例中采用KLA AIT II型扫描设备对光刻胶11进行缺陷扫描，其扫描过程是暗场扫描，其并不扫描前层图形，扫描时间短，一般两分钟即可完成一片硅片的缺陷扫描。之后参考图4，对光刻胶11进行曝光和显影，定义出预设的图形。本实施例中，由于扫描过程是在曝光之前进行的，因而涂胶工艺过程中所造成的缺陷并不会被曝光、显影过程稀释，从而提高了发现缺陷的概率，有利于减少或防止漏扫问题。另一方面，在曝光之前进行缺陷扫描，能够保证所扫描到的缺陷主要是在涂胶工艺中引入的，而不会受到曝光、显影过程中所造成的缺陷的干扰。此外，本实施例中的缺陷扫描优选采用暗场扫描来实现，与常规的明场扫描相比， 暗场扫描的扫描速度更快，可以降低缺陷扫描的时间开销，提高效率。经过专利技术人实际测算，使用明场扫描的话，一片硅片大约需要15至30分钟才能完成扫描，而采用暗场扫描，一片硅片仅需要大约两分钟，极大地减小了扫描过程的时间开销。本专利技术虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本专利技术，任何本领域技术人员在不脱离本专利技术的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本专利技术的保护范围应当以本专利技术权利要求所界定的范围为准。权利要求1.一种，其特征在于，包括 提供半导体衬底；在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂； 在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，使用扫描电镜对所述光刻胶进行缺陷扫描。3.根据权利要求2所述的，其特征在于，所述缺陷扫描过程为暗场扫描。4.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述有机溶剂包括 1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯和1-甲氧基-2-丙醇的混合物。5.根据权利要求5所述的，其特征在于，所述有机溶剂中 1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯的重量百分比为至31%，1-甲氧基-2-丙醇的重量百分比为 69%至 71%。全文摘要本专利技术提供了一种，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。本专利技术有利于提高发现缺陷的概率，减少或避免漏扫。文档编号G03F7/16GK102323718SQ201110218730公开日2012年1月18日 申请日期2011年8月1日 优先权日2011年8月1日专利技术者吕其尧, 姜楠, 徐建卫 申请人:上海先进半导体制造股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种涂胶工艺的缺陷监控方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕其尧，姜楠，徐建卫，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31