【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造工艺中涂胶工艺
，具体地说是一种双喷嘴三角形喷胶方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造工艺中，晶圆的感光层涂覆大多采用旋转涂布方式，这种方式在晶圆图形表面落差不大的情况下试用，近年来硅深孔工艺要求在晶圆表面落差很大，此时，采用喷胶方式替代旋转涂覆方式，成为硅深孔工艺加工中广泛采用的技术之一，喷胶涂覆方式是采用超声波的方法将光刻胶雾化成微小颗粒，再喷射到晶圆表面，达到给晶圆涂覆光刻胶的目的。常规喷胶工艺采用一个喷胶胶嘴，在晶圆上方按照一定的轨迹行走，同时进行喷胶，将雾化后的光刻胶颗粒涂覆到晶圆表面，为了保证涂覆后胶膜的均匀性，这就要求颗粒直径微小，所以为了保证晶圆在加工后有一定的胶膜厚度，喷胶工艺需要长时间的喷涂过程，严重影响了设备产能。
技术实现思路
针对现有技术中存在喷胶工艺时间长的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种双喷嘴三角形喷涂方法，该方法可以有效缩短光刻胶喷涂时间，从而提高设备产能的方法。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种双喷嘴三角形喷胶方法，该方法包括以下几个步骤：第一步骤，将晶圆放置在承载台上；第二步骤，第一胶嘴和第二胶嘴从晶圆的中心位置分别向两侧以三角形喷胶轨迹往复移动，同时开始喷涂光刻胶，直至移动到晶圆的边缘，喷胶结束。所述第一胶嘴和第二胶嘴分别设置于晶圆的相对两侧，所述第一胶嘴和第二胶嘴的运动方向相反。所述第二步骤的喷胶过程中，晶圆通过承载台的加热，温度恒定在110摄氏度。所述第二步骤结束后，所述承载台旋转180°，所述第一胶嘴和第二胶嘴再重复进行所述第二步骤的喷胶过程。所述第二步骤...
【技术保护点】
一种双喷嘴三角形喷胶方法，其特征在于，该方法包括以下几个步骤：第一步骤，将晶圆(3)放置在承载台(4)上；第二步骤，第一胶嘴(1)和第二胶嘴(2)从晶圆(3)的中心位置分别向两侧以三角形喷胶轨迹往复移动，同时开始喷涂光刻胶，直至移动到晶圆(3)的边缘，喷胶结束。
【技术特征摘要】
1.一种双喷嘴三角形喷胶方法，其特征在于，该方法包括以下几个步骤：第一步骤，将晶圆(3)放置在承载台(4)上；第二步骤，第一胶嘴(1)和第二胶嘴(2)从晶圆(3)的中心位置分别向两侧以三角形喷胶轨迹往复移动，同时开始喷涂光刻胶，直至移动到晶圆(3)的边缘，喷胶结束。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一胶嘴(1)和第二胶嘴(2)分别设置于晶圆(3)的相对两侧，所述第一胶嘴(1)和第二胶嘴(2)的运动...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑春海，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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