温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种区分CMP工艺后衬底上划伤缺陷与颗粒缺陷的方法，所述衬底预先经过缺陷扫描，在所述缺陷扫描之后，还包括：利用酸性溶液对所述衬底进行清洗；对清洗后的衬底再次进行缺陷扫描；将清洗后的衬底上的缺陷扫描结果与清洗前的衬底上的缺陷扫描结果...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。