一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统技术方案

本发明专利技术公开了一种改善晶片良率的工艺控制方法，包括：判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；根据所述流片顺序计算所述第一步骤和第二步骤之间的最长等待时间。本发明专利技术充分考虑每片晶片的最长等待时间，并对最不利的晶片的等待时间加以控制，从而保证一个批次内每片晶片的等待时间都小于Queue?Time。本发明专利技术还提供了一种改善晶片良率的工艺控制系统。

【技术实现步骤摘要】
一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统
本专利技术涉及半导体制程
，尤其涉及一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统。
技术介绍
在半导体制程中，排队时间（QueueTime）指的是从一个工艺步骤到下一个工艺步骤所能允许的最长等待时间，超过这一时间，就可能造成晶片的功能失效和报废。在半导体制程中有很多步骤之间都有QueueTime的控制要求。现有的QueueTime控制方法是：在系统中设置两个步骤之间的最长等待时间(QueueTime)，当一批次的晶片，例如25片，到达第一步和到达第二步的时候，系统会提示作业员，一批次晶片在这两步之间的等待时间不能超过这个QueueTime，作业员会优先安排等待时间最长、最接近QueueTime的那个批次，从而保证每批次都不会因为超QueueTime而造成晶片低良。上述现有方法是一种比较粗略和不科学的控制方法。因为比如一批次有25片，对于每一个工艺步骤，晶片都是一片一片的生产，第一片执行完第一步之后，还要等其他24片相继执行完第一步，才算整个批次完成了第一步工艺，即只有该批次25片都执行完第一步的时候，系统才开始计算和控制该批次在两步之间的等待时间，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善晶片良率的工艺控制方法，其特征在于，包括以下步骤：判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；根据所述流片顺序计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。

【技术特征摘要】
1.一种改善晶片良率的工艺控制方法，其特征在于，包括以下步骤：判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤的流片顺序和第二步骤的流片顺序；根据所述第一步骤的流片顺序和所述第二步骤的流片顺序计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间；其中，流片顺序包括：从当前批次晶片中的第一片加工至最后一片；或者从当前批次晶片中的最后一片加工至第一片。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间；计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间；取以上两个结果中的最小值。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。5.一种改善晶片良率的工艺控制系统，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：