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本发明公开了一种改善晶片良率的工艺控制方法，包括：判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；根据所述流片顺序计算所述第一步骤和第二步骤之间的最长等待时间。本发明充分考虑每片晶片的最长等待时间，并对最不利的晶片的等待时间加以...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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