【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域,具体的说是。
技术介绍
在晶圆的生产过程中,易产生一些污染物。这些污染物包括:金属污染物,化学污染物以及落尘等。对这些污染物的去除通常都采用传统的用去离子数冲洗的方式来实现。但随着半导体领域的进一步发展,对晶圆表面的清洁度要求越来越高,这种传统的方式已经不能满足目前一般性的生产要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案为::在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的毛刷分别自旋转,使毛刷与晶圆之间进行相对摩擦运动,并在自转过程中由清洗装置上上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液;所述清洗液为肥皂水。所述清洗液为洗洁精和去离子水按体积百分比为1: 100-1: 50混合而成。所述清洗液为洗洁精和去离子水按体积百分比为1: 100混合而成。.所述毛刷为尼龙刷,其丝径为0.5mm,长度为10_20mm。本专利技术的有益效果是:通过本专利技术的清洗方式对晶圆表面进行清洗的结果是:使晶圆表面的直径0.2微米以上的颗粒去除率达到98%。具体实施例方式在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的尼龙刷分别自转,使尼龙刷与晶圆之间进行相对摩擦运动,并在自转过程中由清洗装置上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液;即扫描马达通过联轴器带动整个清洗装置围绕其主轴(主轴转速500rpm)做扫描运动。与此同时,尼龙刷自转电机带动毛刷自转((毛刷扫描10次-20次),毛刷转速50rpm)。晶圆此时也在做高速(100-500rpm)旋转运动,这样就实现了尼龙刷与晶圆的相对摩擦运动。所述清洗液为肥皂水,即洗洁精和去离子水按体积百分比为1: ...
【技术保护点】
一种晶圆的生产中的清洗方法,其特征在于:在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的毛刷分别自旋转,使毛刷与晶圆之间进行相对摩擦运动,并在自转过程中由清洗装置上上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液;所述清洗液为肥皂水。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的生产中的清洗方法,其特征在于:在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的毛刷分别自旋转,使毛刷与晶圆之间进行相对摩擦运动,并在自转过程中由清洗装置上上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液;所述清洗液为肥皂水。2.按权利要求1所述的晶圆的生产中的清洗方法,其特征在于:所述清洗液为洗洁精和去...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯宪华,
申请(专利权)人:沈阳芯源微电子设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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