【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体衬底制造领域，尤其涉及一种受控减薄方法以及半导体衬底。
技术介绍
在半导体产业里，晶圆生产和加工、芯片生产和封装等过程中，常常用到晶圆的减薄工艺。现有技术的减薄工艺主要是化学机械抛光(CMP)或者酸碱腐蚀。化学机械抛光工艺是通过采用特定的抛光液利用机械抛光的方法减薄晶圆该方法由于主要采用的是机械研磨工艺，受限于其工作原理的限制，而对去除量的均匀性难以保证在衬底的不同区域会有较大的去除量的偏差。而化学腐蚀工艺是将晶圆浸没在能够腐蚀晶圆的化学腐蚀中，或者采用旋转腐蚀的方法，使腐蚀液流过晶圆表面。采用这种方法减薄晶圆，由于晶圆各处所处的化学环境是基本相同的，故去除量的均匀性较容易控制，但由于腐蚀速度受到腐蚀液的成分和浓度以及温度等诸多因素的影响，而较难控制对晶圆的总去除量。因此，提供一种既能够精确控制腐蚀量，又能够控制去除均匀性的精确可控的腐蚀方法，是现有技术亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种受控减薄方法以及半导体衬底，既能够精确控制减薄量，又能够保证减薄的均匀性。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种受控减薄方法...
【技术保护点】
一种受控减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中的一预定深度处形成一特征图形层，所述特征图形层用于标定减薄的停止位置；减薄半导体衬底，并同时观察减薄表面是否出现特征图形，一旦出现特征图形，立即停止减薄。
【技术特征摘要】
1.一种受控减薄方法，其特征在于，包括如下步骤: 提供一半导体衬底； 在所述半导体衬底中的一预定深度处形成一特征图形层，所述特征图形层用于标定减薄的停止位置； 减薄半导体衬底，并同时观察减薄表面是否出现特征图形，一旦出现特征图形，立即停止减薄。2.根据权利要求1所述的受控减薄方法，其特征在于，所述在半导体衬底中形成特征图形的步骤，进一步是在所述预定深度位置注入氧离子并退火，从而形成氧化物颗粒。3.根据权利要求1所述的受控减薄方法，其特征在于，所述在半导体衬底中形成特征图形的步骤，进一步是在所述预定深度位置注入改性离子并退火，从形成与半导体衬底本身具有腐蚀选择比的不连续层。4.根据权利要求1所述的受控减薄方法，其特征在于，所述在半导体衬底中形成特征图形的步骤，进一步是在衬底中采用刻蚀方法形成具有所述预定深度的特征图...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹共柏，张峰，魏星，王文宇，马乾志，郑健，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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