本发明公开了一种提高超级结产品良率的工艺方法，步骤一、根据超级结产品击穿电压的晶圆面内分布图确定晶圆内需要进行沟槽宽度补偿的区域和补偿数值；步骤二、根据得到的沟槽宽度补偿的区域和补偿数值，采用光刻工艺方法对需要沟槽宽度补偿的区域进行补偿...

本发明公开了一种灵敏放大器，包括一个参考电流支路和至少一个存储单元电流支路，所述参考电流支路包括3个PMOS管，编号为P1至P3；2个低阈值NMOS管编号为N1、N2；1个NMOS管编号为N3，1个反相放大器A1。P1和P2源极相连，P...

本发明公开了一种对芯片物理版图自动追加冗余孔的方法，包括以下步骤：第一步，在芯片物理版图中找出上层金属层与下层金属层之间只有单孔连接的区域；第二步，计算单个通孔周围的空间大小，判断是单孔周围是否能够追加冗余孔，确定追加冗余孔的位置；第三...

本发明公开了一种对简化电路网表进行负载反标的方法，包括以下步骤：第一步，从原始电路网表抽取出仅包含简化电路线路的简化电路网表；第二步，解读并存储简化电路网表，并将关键路径的线路负载保存为三个树状阶层结构的数据；第三步，解读原始电路网表，...

本发明公开了一种寄生横向型PNP器件，由形成于相邻的两个有源区中的N型注入层组成基区，由基区的两个有源区之间的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成发射区，由基区的两个有源区两侧的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成集电区...

本发明公开了一种自对准双极晶体管，通过发射区窗口介质层定义出发射区窗口和外基区自对准注入区，能实现发射区和外基区之间的良好对准；发射区仅由形成于发射区窗口中的多晶硅组成，能减少发射区和外基区的耦合区域、从而能降低发射区和基区间的寄生电容...

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使发射区的锗硅层为多晶结构，从而能提高发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系数和增加器件的截止频率。本发明采用了先进的深...

本发明公开了一种超级结牺牲氧化层的去除方法，采用如下步骤去除牺牲氧化层：用DIW对硅片进行预处理；采用DHF去除牺牲氧化层。本发明通过在DHF刻蚀超级结的深沟槽中的牺牲氧化层前，对硅片用水进行预处理，水能对深沟槽浸润，而后DHF能直接置...

本发明公开了一种MOS器件闩锁效应的监测结构，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱，每个N阱中分别形成有一对有源区，每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有...

本发明公开了一种尖角钝化的方法，包括步骤：1)通过现有工艺流程，形成待需要进行图形尖角钝化的下层；2)在步骤1)的基础上，涂覆一层光刻胶并曝光；3)进行刻蚀，使其出现高低形貌；4)去除光刻胶；5)采用金属溅射的方式沉积要钝化的材料，涂覆...

本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P型阱和沟槽，各P型阱通过沟槽彼此隔离；每个P型阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源...

本发明公开了一种时钟信号产生系统，包括：数据分析器1，其在输入数据令牌包的25位周期时间内，记录振荡器输出的时钟信号周期数，其接收输入数据以及振荡器的时钟输出，连接频率调整电路；数据分析器2，在输入数据的两个帧开始包之间的时间间隔内，记...

本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的离子注入完成后，利用P型阱光刻掩膜进行硅离子注入，使PNP三极管的基区的硅表面的晶格结构被破坏。在NPN区域的N型集电区形成后，在N...

本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构，包括：集电区上方形成有基区、N型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离位于N型膺埋层上方；集电区上形成有金属硅化物通过接触孔连接金属连线；N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；发射区...

本发明公开了一种高压P型LDMOS结构，在P型硅衬底上形成有一深N阱，在所述深N阱的左部内形成有一N阱，在所述N阱上形成源端及体端，在所述深N阱的右部内形成有一P漂移区，在所述P漂移区上形成漏端，所述深N阱的左右两侧相邻接分别形成有左侧...

本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底上形成有有源区、P型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方，P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧，P型膺埋层与有源区相连；N型重掺杂区形成于有...

本发明公开了一种锗硅功率HBT，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，它的底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂的多晶硅形成；外基区多晶硅下的场氧底部通过P型...

本发明公开了一种半导体保护层的制作工艺方法，包括步骤如下：1)提供一已制作好顶层金属连线的硅片；2)在硅片上生长介质保护层；3)非感光性聚酰亚胺的旋涂、烘烤；4)光刻胶的旋涂、烘烤；5)使用具有介质保护层开口图形的掩膜版进行曝光；6)显...

本发明公开了一种可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法，该结构包括：N、P型的高阻值的多晶硅电阻，NP二极管，阴、阳极接触端；其方法包括：1)在P型衬底上生成氧化层场区；2)在氧化层场区上，生成多晶硅区域；3)多晶硅区域的一侧形成...

本发明公开了一种防止研削硅屑沾污晶圆的光刻工艺方法，通过设定光刻胶聚酰亚胺层晶圆缺口侧无效区域的曝光条件为不曝光，使光刻胶填满晶圆缺口侧空隙，以增强晶圆正面贴膜与划片槽的贴合性。该方法对Polyimide(聚酰亚胺)层曝光条件进行优化，...