本发明公开了一种晶圆在超纯水中过浸泡后的补救方法，适用于晶圆生产过程中的任何一种湿法工艺，该方法对在超纯水中过度浸泡的晶圆，在正常回收以后，流至下一制程以前，用稀氢氟酸进行处理。通过对在超纯水中过度浸泡的晶圆追加一步稀氢氟酸处理步骤，有...

本发明公开了一种NVM内建自测电路的仿真测试系统，包括有测试主机；多个模拟模块、NVM芯片电路、NVM内建自测电路、自动检测模块。所述自动检测模块具体包括接口信号检测模块、系统状态检测模块、指令执行时序检测模块、测试完整性检测模块、数据...

本发明公开了一种闪存存储器的位线控制电路；包括：相邻两个存储单元A和B；存储单元A和B的位线分别为BL1和BL2；存储单元A和B共有的源极信号线SL；存储单元A和B共有的SONOS线和字线分别为WLS和WL；位线写控制电路D，晶体管M1...

本发明公开了一种闪存存储器的存储单元电路结构；包括：相邻的两个存储单元A和B；相邻的两个存储单元A和B的位线BL1和BL2；两个存储单元A和B共有的源极信号线SL；位线BL1、BL2和源极信号线SL在版图上处于同一金属层；两个存储单元A...

本发明公开了一种SRAM的旁路结构，包括两个非门和两个三端口与非门。两个非门的输入端分别接写入数据信号对。两个三输入与非门的各有一个输入端接两个非门的输出端，各有另一个输入端接读取数据信号对，各有再一个输入端接另一个三输入与非门的输出端...

本发明公开了一种模块级版图设计的端口放置方法。第1步，在版图中放置目标模块，同时在该目标模块周边放置一个或多个参考模块。参考模块同时满足：a、参考模块与目标模块之间或者不重合、或者仅有一条或多条边相重合。b、目标模块的端口数量＝所有参考...

本发明公开了一种集成电路版图在缩小实验后自动连线的方法，将总的版图划分为上下左右四个区域。对其中任何一个区域，采用两层金属布线，金属布线或者为横线——由上到下的竖线——横线，或者为横线——由下到上的竖线——横线。本发明能够快速地实现集成...

本发明公开了一种带隙基准源的启动电路；包括：电流镜MP1、MP2和MP3，电流镜MP1、MP2和MP3的栅极都为运放A1的输出，其源极都接电源，电流镜MP1的漏极节点A接电阻R1、三极管Q1的发射极和运放A1的输入；MP0的漏极节点B接...

本发明公开了一种环路补偿电路，包括：运算放大器OPA，其负输入端接基准电压，其正输入端通过电阻R2接地，其输出端接PMOS管P1栅极；PMOS管P1，其源极接电源，其漏极通过电阻R1和R2接地；电容C，其正端接PMOS管P1栅极，其负端...

本发明公开了一种测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法，包括：1)在整个测试流程的开头部分，追加一个专用的检测接触特性模块；2)设定针压量从0μm开始，每个step增加1μm的扎针条件进行不断测试，通过测试程序的控制，对所有通道进行电流...

本发明公开了一种超小尺寸芯片的硅片级量产测试方法，包括如下步骤：第1步，一个硅片上具有多个相同结构的超小尺寸芯片；将相邻的多个超小尺寸芯片组成集合，所述集合的长度和宽度均大于0.5毫米；第2步，探针台扫描硅片，并为硅片上的集合制作品种参...

本发明公开了一种实现BiCMOS器件中扩展基区结构的方法，包括如下步骤：1，使用有机抗反射层填平器件台阶区域，使用光刻胶曝光形成扩展基区图形；2，使用有机抗反射层对氮化硅的高选择比且各向异性刻蚀有机抗反射层，刻蚀停止在下层氮化硅上；3，...

本发明公开了一种NLDMOS器件，P型硅衬底上形成有深N阱，在与所述深N阱相邻的在P型硅衬底上形成有P阱，在所述深N阱中形成有浮置P型结构，在所述深N阱上形成有漏极，在所述P阱上形成有源极，在所述P阱同所述深N阱交界区域上方形成栅极，所...

本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底上方形成有有源区，P型膺埋层形成于有源区中，P型膺埋层上方形成有多个浅沟槽隔离，浅沟槽隔离放上形成有多晶硅层，有源区上方形成有发射区，发射区与多晶硅层交替排...

本发明公开了一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，包括漏区、源区、漏区漂移区、漂移区、源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板；源区多晶硅场板及栅极为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处封闭；封闭的漏区多晶硅场板位于源区多晶...

本发明公开了一种锗硅HBT单管结构，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，其底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂多晶硅形成；外基区多晶硅下的场氧底部的N型外...

本发明公开了一种快速热处理设备，包括工艺腔和承片室，承片室内有载片台，该载片台采用耐高温材料制成。本发明还公开了使用上述设备进行快速热处理的方法，包括步骤：1)将晶圆片从承片室传至工艺腔，进行高温退火处理；2)将晶圆片从工艺腔直接传回承...

本发明公开了一种超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，在一衬底上端生长N型外延层；利用高温退火将P阱注入进行推进；在所述N型外延层中形成多个第一沟槽；在所述第一沟槽内填充P型单晶硅，形成P型柱；采用化学机械研磨CMP将所述第一沟槽...

本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法，该方法在非感光性聚酰亚胺旋涂步骤后，固化步骤前，进行以下步骤：1)在非感光性聚酰亚胺上旋涂、烘烤一层光敏性物质；2)曝光，显影，去除曝光区域的光敏性物质，不去除或部分去除非感光性聚酰亚胺...

本发明公开了一种交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，包括步骤：1)在硅衬底上生长本征硅外延层；2)在本征硅外延层上刻蚀出沟槽；3)倾斜地向沟槽的一面侧壁注入P型杂质，另一面侧壁注入N型杂质；4)用本征硅外延填充沟槽；5)在900～...