【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种NLDMOS器件，P型硅衬底上形成有深N阱，在与所述深N阱相邻的在P型硅衬底上形成有P阱，在所述深N阱中形成有浮置P型结构，在所述深N阱上形成有漏极，在所述P阱上形成有源极，在所述P阱同所述深N阱交界区域上方形成栅极，其特征在于，所述浮置P型结构所对应的上方的深N阱中的N型杂质浓度大于下方的深N阱中的N型杂质浓度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，董科，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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