带隙基准源的启动电路制造技术

技术编号:8764893 阅读:159 留言:0更新日期:2013-06-07 21:54
本发明专利技术公开了一种带隙基准源的启动电路;包括:电流镜MP1、MP2和MP3,电流镜MP1、MP2和MP3的栅极都为运放A1的输出,其源极都接电源,电流镜MP1的漏极节点A接电阻R1、三极管Q1的发射极和运放A1的输入;MP0的漏极节点B接电阻R0、电阻R2和运放A1的输入,电阻R0的另一端节点C接三极管Q0的发射极,电流镜MP2的漏极接电阻R3并连接输入电压vref;电阻R1、R2、R3的另一端和三极管Q0,Q1的基极、集电极均接地;晶体管MN1和MN2的漏极接电源,栅极分别接节点B和节点C,晶体管MN1的源极接电阻R4,电阻R4另一端节点D接电流源I1和比较器CMP输入,晶体管MN2的源极节点E连接比较器输入和电流源I2。本发明专利技术可以提高带隙基准源的精度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种带隙基准源的启动电路;其特征在于,包括:电流镜MP1、MP2和MP3,电流镜MP1、MP2和MP3的栅极都为运放A1的输出,其源极都接电源,电流镜MP1的漏极节点A接电阻R1、三极管Q1的发射极和运放A1的输入;MP0的漏极节点B接电阻R0、电阻R2和运放A1的输入,电阻R0的另一端节点C接三极管Q0的发射极,电流镜MP2的漏极接电阻R3并连接输入电压vref;电阻R1、R2、R3的另一端和三极管Q0,Q1的基极、集电极均接地;晶体管MN1和MN2的漏极接电源,栅极分别接节点B和节点C,晶体管MN1的源极接电阻R4,电阻R4另一端节点D接电流源I1和比较器CMP输入,晶体管MN2的源极节点E连接比较器输入和电流源I2,比较器输出端连接带隙基准源的启动端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:唐成伟
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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