参考电压产生电路制造技术

一种参考电压产生电路。所述电路包括：电流镜单元、第一电阻、第二电阻和温度系数补偿单元，所述温度系数补偿单元包括：第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第一电阻的第二端，源极接地；所述第二NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述电流镜单元的第一节点，源极接地；所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第二电阻的第二端，源极接地；所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管工作在亚阈值区或饱和区；所述第一电阻的第一端连接所述电流镜单元的第二节点；所述第二电阻的第一端连接所述电流镜单元的第三节点。本发明专利技术参考电压产生电路的工作电压范围较宽且该电路的功耗低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种参考电压产生电路。
技术介绍
近年来，随着便携式电子产品在市场上占有越来越大的份额，对低电压、低功耗的参考电压源的需求量大大增加。参考电压在电子电路或电子系统中起着至关重要的作用，稳定的参考电压一般具有两种特性，一是对温度的高稳定性；二是对电源电压变化的高抵抗力。能隙参考电压电路以其高稳定性，被广泛的应用在模拟/数字转换器、数字/模拟转换器以及电压整流器等电子系统上。附图说明图1示出了现有的一种参考电压产生电路。参考图1，所述参考电压产生电路包括:误差放大器OPA、PMOS管Mil、PMOS管M12、PMOS管M13、第一三极管Q11、第二三极管Q12、第三三极管Q13、电阻Rll和电阻R12。各个器件的具体连接方式如图1所示，在此不再赘述。继续参考图1，由于误差放大器OPA的钳位作用，使得Vx与Vy两点的电压基本相等，即VX=VY=VBE2，Vbe2 为所述第二三极管Q12的基极与发射极之间的电压差；同时，两边电路中的电流也相等，即

【技术保护点】
一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：电流镜单元、第一电阻、第二电阻和温度系数补偿单元，其中，所述电流镜单元包括第一节点、第二节点和第三节点，所述第一节点处的电流、第二节点处的电流及第三节点处的电流分别成比例关系，所述第三节点作为所述参考电压产生电路的输出端；所述温度系数补偿单元包括：第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第一电阻的第二端，源极接地；所述第二NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述电流镜单元的第一节点，源极接地；所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第二电阻的第二端，源极接地；所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NM...

【技术特征摘要】
1.种参考电压产生电路，其特征在于，包括:电流镜单元、第一电阻、第二电阻和温度系数补偿单元，其中， 所述电流镜单元包括第一节点、第二节点和第三节点，所述第一节点处的电流、第二节点处的电流及第三节点处的电流分别成比例关系，所述第三节点作为所述参考电压产生电路的输出端； 所述温度系数补偿单元包括:第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管，所述第一 NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第一电阻的第二端，源极接地；所述第二 NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述电流镜单元的第一节点，源极接地；所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第二电阻的第二端，源极接地；所述第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管工作在亚阈值区或饱和区； 所述第一电阻的第一端连接所述电流镜单元的第二节点； 所述第二电阻的第一端连接所述电流镜单元的第三节点。2.权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电流镜单元包括: 第一子电流镜单元，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管和第三PMOS管，所述第一 PMOS管、第二 PMOS管及第三PMOS管的源极均连接至电源电压，栅极均连接至所述第三PMOS管的漏极；所述第一 PMOS管的漏极作为所述电流镜单元的第三节点； 第二子电流镜单元，包括:第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四NMOS管的栅极与漏极相连，并连接至所述第二 PMOS管的漏极；所述第四NMOS管的源极作为所述电流镜单元的第一节点；所述第五NMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的栅极，漏极耦接所述第三PMOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐光磊，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：