一种低压低功耗CMOS电压源制造技术

本发明专利技术提供一种低压低功耗CMOS电压源，包括电流源和电压输出级，电流源提供一个与第一电阻成反比，与温度成正比的电流，该电流镜像到电压输出级，产生一个与第二电阻与第一电阻的比值成正比，与温度成正比的电压，该电压为该CMOS电压源的输出电压，由于电流源和电压输出级中的所有管子采用MOS管，可以与CMOS工艺兼容，所有MOS管工作于亚阈值区，该CMOS电压源的工作电压低。该CMOS电压源的输出电压与第二电阻和第一电阻的比值成正比，可以通过调节第一电阻和/或第二电阻的阻值来调节输出电压的大小。由于该CMOS电压源的输出电压与温度成正比，即输出电压可以感应温度的变化。因此，应用于对温度进行调控的场合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种低压低功耗CMOS电压源。
技术介绍
电压源是集成电路中非常重要的基本电路之一，它为芯片中其他模块的正常工作提供必需的偏置电压，因此它的性能也很大程度上影响了芯片的整体性能。随着微电子制造工艺技术的发展，芯片的功耗和面积都在大幅度降低，进而对电压源提出的设计挑战也越来越高。因此新型电压源应该能够工作在超低的电源电压下，并且占用较小的芯片面积，同时消耗很小的电源功率，具有与标准CMOS工艺兼容的能力。但是目前广泛应用的电压源，结构比较复杂，功耗高，占用面积大，制造成本高；有些甚至需要在BiCMOS的工艺下实现，不能与标准CMOS工艺兼容。另外，在深亚微米工艺下，电路工作的电源电压一般低于IV，传统的带隙基准电压源输出电压较高，一般带隙基准电压源是由三极管制作的，并不能满足工作电压低这一要求。因此，如何设计得到一种结构简单、工作电压低、占用芯片面积小，并且能够完全与标准 CMOS工艺兼容的低功耗电压源是本领域技术人员需要解决技术问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种低压低功耗CMOS电压源，工作电压低、占用芯片面积小，并且能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压低功耗CMOS电压源，其特征在于，包括：电流源和电压输出级；所述电流源包括电流镜、第一NMOS管、第二NMOS和第一电阻，所述电流镜、第一NMOS管和第二NMOS管中的所有MOS晶体管工作于亚阈值区；所述第二NMOS管的漏极连接所述电流镜的第一端；所述第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极和所述电流镜的第二端；所述第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的栅极；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的源极通过所述第一电阻接地；该电流源产生的电流与所述第一电阻成反比，与温度成正比；所述电压输出级包括第二组MOS晶体管和第二电阻，所述第二组MOS晶体管均工作于亚阈值区；所述电流源为电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵喆，陈岚，吕志强，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：