用于转换电压信号的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种用于转换电压信号的装置，包括：电流提供电路，提供可调电流；第一电流镜像电路，将电流提供电路提供的电流镜像；电流镜像控制电路，接收0V或5V的电压信号，并且，当电流镜像控制电路接收的电压信号为0V时，控制第二电流镜像电路对第一电流镜像电路镜像的电流镜像，当电流镜像控制电路接收的电压信号为5V时，控制第二电流镜像电路关断；当第二电流镜像电路对第一电流镜像电路镜像的电流镜像时，镜像的电流流入第一调压电阻；当镜像的电流流入第一调压电阻时，第一端输出的电压信号为电源的电压VDD减去电流乘以第一调压电阻的阻值；当第二电流镜像电路关断时，第一端输出的电压信号为VDD。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路技术，尤其涉及一种用于转换电压信号的装置。
技术介绍
随着集成电路技术的迅速发展，B⑶(Bipolar-CMOS-DMOS)技术成为功率集成的最重要的技术。BCD技术的特点是将硅平面工艺应用的功率集成上，将控制部分(包括模拟的和数字的)与作为输出的功率器件整合在一起。功率器件DMOS分为纵向的垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)和横向扩散金属氧化物半导体(LDM0S)。在不同的应用中，DMOS的电压范围也有所不同，从几十伏到几百伏。例如，基于CMOS平台开发的B⑶工艺技术，将3. 3V/5. OV CMOS器件、耐压达到20V以上的双极型器件、耐压达到40V以上几十伏甚至几百伏的LDMOS以及基本的多晶电阻、低·程)/MTP (Multiple Time Programmable,可多次编程)结构等集成在一起。其中，LDMOS是BCD工艺的核心器件。因为芯片需要在几十伏甚至几百伏的环境中应用，所以芯片需要考虑采用B⑶工艺设计。标准CMOS工艺的器件的栅极、源极、漏极之间的耐压值为相应工艺应用的电源电压。如目前LDMOS的源/漏与栅/漏的耐压值为40V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于转换电压信号的装置，包括：电流提供电路，用于提供可调电流；第一电流镜像电路，用于将所述电流提供电路提供的电流镜像；电流镜像控制电路，用于接收0V或5V的电压信号，并且，当所述电流镜像控制电路接收的电压信号为0V时，用于控制第二电流镜像电路对所述第一电流镜像电路镜像的电流镜像，当所述电流镜像控制电路接收的电压信号为5V时，用于控制所述第二电流镜像电路关断；所述第二电流镜像电路，与第一调压电阻的第一端相连，当所述第二电流镜像电路对所述第一电流镜像电路镜像的电流镜像时，镜像的电流流入所述第一调压电阻；所述第一调压电阻，第二端接电源，当所述镜像的电流流入所述第一调压电阻时，所述第一端输出的电压...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈良，袁俊，潘松，
申请(专利权)人：上海海尔集成电路有限公司，
类型：实用新型
国别省市：