【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基准电压
,特别涉及一种亚带隙电压源电路。
技术介绍
请参考图1所示,其为现有技术中的一种亚带隙电压源电路的电路示意图,其包括偏置电路110、带隙电路120和分压电路130。其中,偏置电路110产生电流偏置为带隙电路120提供偏置电流;带隙电路120一般产生约为1.25V的带隙电压VBG,其由半导体的能带间隙决定;分压电路130包括运算放大器OPA,分压电阻Ra和Rb,其具体连接关系如图1所示,运算放大器OPA提供驱动电阻Ra和Rb的电流,另外,运算放大器OPA隔离在分压电阻和带隙电路120之间,可以避免分压电阻Ra和Rb对带隙电路120的工作产生不良影响。这样,图1中的每个模块都需要消耗相应的电流,同时也占据较大的芯片面积。降低电流消耗有助于实现芯片低功耗,减小芯片面积有助于减小芯片成本。因此,有必要提供一种改进的技术方案来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种亚带隙电压源电路,其可以降低芯片功耗和减小芯片面积。为了解决上述问题,本专利技术提供一种亚带隙电压源电路,其包括偏置电路、亚带隙电压产生电路和亚带隙电压输出端。所述偏置电路用于产生并通过其输出端输出偏置电压;所述亚带隙电压产生电路包括MOS管MP3、MP4、MN3、MN4和MN5,双极型晶体管Q2和Q3,以及电阻R2。MOS管MP3的源极与电源端相连,其栅极与所述偏置电路的输出端相连,其漏极经电阻R ...
【技术保护点】
一种亚带隙电压源电路,其特征在于,其包括偏置电路、亚带隙电压产生电路和亚带隙电压输出端,所述偏置电路用于产生并通过其输出端输出偏置电压;所述亚带隙电压产生电路包括MOS管MP3、MP4、MN3、MN4和MN5,双极型晶体管Q2和Q3,以及电阻R2,MOS管MP3的源极与电源端相连,其栅极与所述偏置电路的输出端相连,其漏极经电阻R2与双极型晶体管Q2的发射极相连;双极型晶体管Q2的栅极接地,其集电极与MOS管MN3的漏极相连;MOS管MN3的栅极与其漏极相连,其源极接地;双极型晶体管Q3的发射极与MOS管MP3和电阻R2之间的连接节点相连,其集电极与MOS管MN4的漏极相连;MOS管MN4的源极接地,其栅极与MOS管MN3的栅极相连;MOS管MP4的源极与所述电源端相连,其栅极与偏置电路的输出端相连,其漏极与MOS管MN5的漏极相连;MOS管MN5的源极接地,其栅极与MOS管MN4的漏极相连,MOS管MP4和MN5之间的连接节点与双极型晶体管Q3的基极相连,且该连接节点也与亚带隙电压输出端相连。
【技术特征摘要】
1.一种亚带隙电压源电路,其特征在于,其包括偏置电路、亚带隙电压产生电路和亚带
隙电压输出端,
所述偏置电路用于产生并通过其输出端输出偏置电压;
所述亚带隙电压产生电路包括MOS管MP3、MP4、MN3、MN4和MN5,双极型晶体管Q2和Q3,以
及电阻R2,
MOS管MP3的源极与电源端相连,其栅极与所述偏置电路的输出端相连,其漏极经电阻
R2与双极型晶体管Q2的发射极相连;双极型晶体管Q2的栅极接地,其集电极与MOS管MN3的
漏极相连;MOS管MN3的栅极与其漏极相连,其源极接地;双极型晶体管Q3的发射极与MOS管
MP3和电阻R2之间的连接节点相连,其集电极与MOS管MN4的漏极相连;MOS管MN4的源极接
地,其栅极与MOS管MN3的栅极相连;MOS管MP4的源极与所述电源端相连,其栅极与偏置电路
的输出端相连,其漏极与MOS管MN5的漏极相连;MOS管MN5的源极接地,其栅极与MOS管MN4的
漏极相连,MOS管MP4和MN5之间的连接节点与双极型晶体管Q3的基极相连,且该连接节点也
与亚带隙电压输出端相连。
2.根据权利要求1所述的亚带隙电压源电路,其特征在于,
所述偏置电路包括MOS管MP1、MP2、MN1和MN2,双极型晶体管Q1和电阻R1,
其中,MOS管MP1的源极与电源端相连,其栅极与MOS管MP2的栅极相连,其漏极与MOS管
MN1的漏极相连;MOS管MN1的栅极与其漏极相连,其源极经双极型晶体管Q1接地;双极型晶
体管Q1的基极与其集电极相连;MOS管MP2的源极与电源端相连,其栅极与其源极相连,其源
极与MOS管MN2的漏极相连;MOS管MN2的栅极与MOS管MN1的栅极相连,MOS管MN2的源极经电
阻R1接地;MOS管MN1的衬体端接地,MOS管MN2的衬体端接地;MOS管MP1的栅极和MOS管MP2的
栅极之间的连接节点为偏置电路的输出端,该连接节点上的电压为所述偏置电压。
3.根据权利要求2所述的亚带隙电压源电路,其特征在于,
MOS管MP1、MP2、MP3和MP4为PMOS晶体管;MOS管MN1、MN2、MN3、MN4和MN5为NMOS晶体管;
双极型晶体管Q2和Q3为PNP型晶体管。
4.根据权利要求3所述的亚带隙电压源电路,其特征在于,
双极型晶体管Q1为PNP型晶体管,且双极型晶体管Q1的发射极与所述MOS管MN1的源极
相连,其集电极接地;
或,双...
【专利技术属性】
技术研发人员:王钊,
申请(专利权)人:无锡中感微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。