带隙基准电压电路制造技术

本发明专利技术降低带隙基准电压的误差。带隙基准电压电路包括：运算放大器；第1二极管，其阳极与运算放大器的同相输入端子电连接，阴极接地；第1电阻，其一端与运算放大器的输出端子电连接，另一端与第1二极管的阳极电连接；第2电阻，其一端与运算放大器的输出端子电连接，另一端与运算放大器的反相输入端子电连接；第3电阻，其一端与运算放大器的反相输入端子电连接；及第2二极管，其阳极与第3电阻的另一端电连接，阴极接地，用于将运算放大器的同相输入端子和第1二极管的阳极电连接的第1布线的一端、及用于将第1电阻和第1二极管的阳极电连接的第2布线的一端分别连接到层叠在第1二极管的阳极上的连接端子，从运算放大器的输出端子输出带隙基准电压。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电压电路
本专利技术涉及带隙基准电压电路。
技术介绍
作为生成温度依赖性较低的基准电压的电路，已知有带隙基准电压电路(例如专利文献1)。图4是表示带隙基准电压电路的一般结构的图。带隙基准电压电路400包含运算放大器110、电阻120～122、及二极管130、131。电阻120的一端与运算放大器110的输出端子电连接，另一端与运算放大器110的同相输入端子电连接。电阻121的一端与运算放大器110的输出端子电连接，另一端与运算放大器110的反相输入端子电连接。二极管130的阳极与运算放大器110的同相输入端子电连接，阴极接地。电阻122的一端与运算放大器110的反相输入端子电连接，另一端与二极管131的阳极电连接。二极管131的阴极接地。另外，二极管131的尺寸为二极管130的尺寸的m倍。在带隙基准电压电路400中，从运算放大器110的输出端子输出带隙基准电压VBG。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2013-191095号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题从带隙基准电压电路400输出的带隙基准电压VBG可如下那样计算。根据运算放大器110的同相输入端子与反相输入端子之间的虚短路，在同相输入端子的电压VA与反相输入端子的电压VB之间，下式(1)的关系成立。VA＝VB···(1)二极管的正向电压VF由下式(2)表示。VF＝VT×ln(I/IS+1)···(2)这里，VT为热电压kT/q(k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为元电荷)，I为正向电流，IS为反向饱和电流。另外，反向饱和电流IS与正向饱和电流I相比非常小，因此，式(2)近似为下式(3)。VF＝VT×ln(I/IS)···(3)若设电阻120～122的电阻值为R1～R3，A点(电阻120与二极管130的连接点)与二极管130的阳极之间的布线所产生的寄生电阻的电阻值为RP，二极管130、131的正向电流为IA、IB，则根据式(1)及(3)，可得到下式(4)。RP×IA+VT×ln(IA/IS)＝R3×IB+VT×ln(IB/mIS)···(4)这里，若设R1＝R2，则IA＝IB，因此，在式(4)中将IA及IB置换为I，从而得到下式(5)。I＝1/(R3+RP)×VT×ln(m)···(5)此外，带隙基准电压VBG由下式(6)表示。VBG＝R2×I+R3×I+VT×ln(I/mIS)···(6)通过将式(5)代入到式(6)的I，带隙基准电压VBG由下式(7)表示。VBG＝(R2+R3)/(R3+RP)×VT×ln(m)+VT×ln(1/(mIS×(R3-RP))×VT×ln(m))···(7)如式(7)所示，带隙基准电压VBG受到寄生电阻的电阻值RP的影响。图5是表示寄生电阻的电阻值RP与带隙基准电压VBG之间的关系的一例的图。在图5所示的示例中，带隙基准电压VBG的设计值为1.23V。若设寄生电阻的电阻值RP约为40Ω，则带隙基准电压VBG约为1.25V。即，带隙基准电压VBG偏离设计值约20mV。本专利技术鉴于上述情况而完成，其目的在于，降低带隙基准电压的误差。解决技术问题的技术方案本专利技术的一个侧面所涉及的带隙基准电压电路包括：运算放大器；第1二极管，该第1二极管的阳极与运算放大器的同相输入端子电连接，阴极接地；第1电阻，该第1电阻的一端与运算放大器的输出端子电连接，另一端与第1二极管的阳极电连接；第2电阻，该第2电阻的一端与运算放大器的输出端子电连接，另一端与运算放大器的反相输入端子电连接；第3电阻，该第3电阻的一端与运算放大器的反相输入端子电连接；及第2二极管，该第2二极管的阳极与第3电阻的另一端电连接，阴极接地，用于将运算放大器的同相输入端子和第1二极管的阳极电连接的第1布线的一端、及用于将第1电阻和第1二极管的阳极电连接的第2布线的一端分别连接到层叠在第1二极管的阳极上的连接端子，从运算放大器的输出端子输出带隙基准电压。专利技术效果根据本专利技术，能降低带隙基准电压的误差。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的带隙基准电压电路的结构的图。图2是表示图1所示的带隙基准电压电路的简要布局的一例的图。图3是表示简要布局的比较例的图。图4是表示带隙基准电压电路的一般结构的图。图5是表示寄生电阻的电阻值RP与带隙基准电压VBG之间的关系的一例的图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的一个实施方式进行说明。图1是表示本专利技术的一实施方式的带隙基准电压电路的结构的图。带隙基准电压电路100包含运算放大器110、电阻120(第1电阻)、电阻121(第2电阻)、电阻122(第3电阻)、二极管130(第1二极管)及二极管(第2二极管)131。带隙基准电压电路100的结构要素及电连接与带隙基准电压电路400相同，因此，省略说明。如图1所示，在带隙基准电压电路100中，二极管130的阳极连接端子X和运算放大器110的同相输入端子的连接端子Y由布线140连接。此外，二极管130的阳极连接端子X和电阻120的连接端子Z由布线150连接。图2是表示图1所示的带隙基准电压电路100的简要布局的一例的图。图2中示出配置二极管130、131的区域200、配置运算放大器110的区域210、及配置电阻120～122的区域220。此外，图2中示出层叠在二极管130的阳极上的连接端子X、层叠在运算放大器110的同相输入端子上的连接端子Y、及层叠在电阻120的一端上的连接端子Z。如上所述，用于将运算放大器110的同相输入端子和二极管130的阳极电连接的布线140的一端连接到二极管130的阳极的连接端子X。用于将电阻120和二极管130的阳极电连接的布线150的一端连接到二极管130的阳极的连接端子X。另外，连接端子X配置在二极管130的阳极的正上方。通过如图1及图2所示那样设置布线140、150，能使A点(电阻120与二极管130的连接点)与二极管130的阳极间的布线长度较短。因此，能使寄生电阻的电阻值RP较小。图3是表示简要布局的比较例的图。在图3所示的示例中，二极管130的阳极连接端子X和运算放大器110的同相输入端子的连接端子Y由布线300连接。此外，运算放大器110的同相输入端子的连接端子Y和电阻120的连接端子Z由布线310连接。在此情况下，与图2所示的布局相比，A点(电阻120与二极管130的连接点)与二极管130的阳极间的布线长度变长。因此，寄生电阻的电阻值RP较大。以上对本实施方式进行了说明。根据本实施方式，如图1及图2所示，用于将运算放大器110的同相输入端子和二极管130的阳极电连接的布线140的一端、及用于将电阻120和二极管130的阳极电连接的布线150的一端分别连接到层叠在二极管130的阳极上的连接端子X。根据这种结构，与图3所例示的布局的情况相比，能减小由A点(电阻120与二极管130的连接点)与二极管130的阳极间的布线所产生的寄生电阻的电阻值RP。例如，在图3所示的布局的情况下，寄生电阻的电阻值RP为数十欧姆左右，与此相对，在图2所示的布局的情况下，寄生电阻的电阻值RP可为数百毫欧姆左右。由此，能降低带隙基准电压VBG的误差。另外，在图2所示的布局中，二极管130的连接端子X配置在二极管130的阳极的正上方，但连接端子X的位置并不限于此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带隙基准电压电路，其特征在于，包括：运算放大器；第1二极管，该第1二极管的阳极与所述运算放大器的同相输入端子电连接，阴极接地；第1电阻，该第1电阻的一端与所述运算放大器的输出端子电连接，另一端与所述第1二极管的阳极电连接；第2电阻，该第2电阻的一端与所述运算放大器的输出端子电连接，另一端与所述运算放大器的反相输入端子电连接；第3电阻，该第3电阻的一端与所述运算放大器的反相输入端子电连接；及第2二极管，该第2二极管的阳极与所述第3电阻的另一端电连接，阴极接地，用于将所述运算放大器的同相输入端子和所述第1二极管的阳极电连接的第1布线的一端、及用于将所述第1电阻和所述第1二极管的阳极电连接的第2布线的一端分别连接到层叠在所述第1二极管的阳极上的连接端子，从所述运算放大器的输出端子输出带隙基准电压。

【技术特征摘要】
2014.08.28 JP 2014-1744151.一种带隙基准电压电路，其特征在于，包括：运算放大器；第1二极管，该第1二极管的阳极与所述运算放大器的同相输入端子电连接，阴极接地；第1电阻，该第1电阻的一端与所述运算放大器的输出端子电连接，另一端与所述第1二极管的阳极电连接；第2电阻，该第2电阻的一端与所述运算放大器的输出端子电连接，另一端与所述运算放大器的反相输入端子电连接；第3电阻，该第3电阻的一端与所述运算放大器的反相输入端子电连接；及第2二极管，该第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：长仓辉和，松冈正，森泽文雅，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP