一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路制造技术

一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路，它包括电容C3、电阻R5、电阻R4、充电电流镜（1）和放电电流镜（2），电容C3、电阻R5和电阻R4的一端并联接电源，充电电流镜（1）与电阻R5并联，放电电流镜（2）与电阻R4串联，所述的充电电流镜（1）和放电电流镜（2）中的控制MOS管均为NMOS管。本实用新型专利技术中，用于充电的与电流镜连接的电阻和用于放电的与电流镜连接的电阻都连接到电源，这样直接与充电用的电阻相连的电流镜和直接与放电用的电阻相连的电流镜都由NMOS管组成，从而充电用的电流镜中的电流和放电用的电流镜中的电流只与NMOS管阈值电压有关，与PMOS管阈值电压无关。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种充放电电路，尤其是电阻对电容充放电以控制时间(特别是相对时间)的电路，具体地说是一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路。
技术介绍
用电阻对电容充放电以控制时间为集成电路中常见电路，但这种电路有一致性不好的特点，造成一致性不好有很多原因，如电阻的误差、电容的误差、电流镜中Vds (M0S管的漏端电压与源端电压之差)，目前大多数电路也都集中在这几个方面进行优化以减小误 差，提闻一致性。目前用电阻对电容充放电以控制时间的电路中，用于充电的电流镜和用于放电的电流镜如果一个是电阻接地则另一个就是电阻接电源，这样与接地电阻连接的电流镜为PMOS管组成，而与接电源电阻连接的电流镜为NMOS管组成，从而NMOS和PMOS阈值电压差异的影响到充放电电流的一致性。
技术实现思路
本技术的目的是针对充放电电路中，NMOS和PMOS阈值电压差异影响到充放电电流的一致性的问题，提出一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路。本技术的技术方案是一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路，它包括电容C3、电阻R5、电阻R4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不受NMOS和PMOS阈值电压差异的影响的电阻对电容充放电电路，它包括电容C3、电阻R5、电阻R4、充电电流镜（1）和放电电流镜（2），电容C3、电阻R5和电阻R4的一端并联接电源，充电电流镜（1）与电阻R5并联，放电电流镜（2）与电阻R4串联，其特征是所述的充电电流镜（1）和放电电流镜（2）中的控制MOS管均为NMOS管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄胜明，
申请(专利权)人：常州博拓电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：