一种基准电源的产生电路制造技术

本发明专利技术公布了一种基准电源的产生电路，包括依次连接的自偏置电路（1）、第一级预调整电路（2）、第二级预调整电路（3）、带隙基准核心电路（4）、信号反馈电路（5）。本发明专利技术采用了自偏置电流镜结构的自偏置电路，电路就可以自启动，而不再需要额外的启动电路；将第二级预调整电路的输出直接作为基准电压输出并同时给带隙基准核心电路供电，这样的连接方式可以提高基准电压的带载能力；采用了无运放反馈环路调节，与传统基准电压源电路相比，减少了一个进行钳位的运放，节省了面积，减小了静态功耗；输出基准电压的电源抑制比比传统的带隙基准电压源电路有很大提高，特别是在高频下的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基准电压源，具体是指一种基准电源的产生电路。
技术介绍
无论是在数字电路、模拟电路抑或是数模混合电路中，高性能的基准电压源都是不可或缺的，它对整个系统的性能起着决定性的作用。通常情况下基准电压决定了比较器的翻转电平、振荡器的振荡频率、功率管中流过的电流值等重要的系统指标。正是基于以上情况，对于基准电压源电路的要求不断提高，出现了很多电路结构。如图1所示，是一种传统的基准电压源的设计方法。这个电路包括了具有正负输入端及输出端口的运算放大器，电阻R1、R2、R3及两个晶体管Q1、Q2。其中电阻R1=R2=R，晶体管Q1的发射极面积为Q2的发射极面积的N倍。在电路的实际工作过程中，由于运算放大器的开环增益很大，所以两个输入端的差模电压很小，可以认为近似相等，这样就有V(+)=V(-),V(+)，V(-)分别为运算放大器的正相输入端电压和反相输入端电压，即：VBE1+IC1*R3=VBE2式中VBE1,VBE2分别为Q1,Q2的基极-发射极电压，IC1为Q1的集电极电流，由于集电极电流，其中IS为PN结反向饱和电流，VT=KT/q为热电压，带入上式可得：其中，N为Q1和Q2的发射极面积之比，如此，就产生了和绝对温度成正比的一路电流，这个电流在电阻R2产生了呈现正温度特性的电压，然后和具有负温度特性的VBE2相加，就可以得到一个随温度变化很小的基准电压源VREF，在这个传统的基准电压源产生电路中，输出基准电压的电源抑制比PSRR主要依赖于运算放大器本身的特性。普通的二级运算放大器的PSRR在高频下的特性很差，为了改善高频下的性能，运算放大器的结构就比较复杂，增加了电路的面积和功耗；同时，传统的基准电压源产生电路存在简并点，需要额外的启动电路使电路脱离“零”简并状态，这又增加了电路的成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前提升机运行过程中，其运行轨迹不稳定，容易偏离原设计轨迹的难题，提供一种提升机运行轨迹的定位装置。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：本专利技术一种基准电源的产生电路，包括依次连接的自偏置电路、第一级预调整电路、第二级预调整电路，所述第二级预调整电路分别与带隙基准核心电路和信号反馈电路连接，所述带隙基准核心电路与信号反馈电路连接。所述的自偏置电路包括MOS管MP1、电阻R1、三极管Q1、三极管Q2，其中MOS管MP1的源极与外部电源VIN连接，MP1的漏极和栅极连接后通过电阻R1同时与三极管Q1的集电极和基极连接，三极管Q1的发射极同时与三极管Q2的集电极和基极连接，Q2的发射极接地，MP1的栅极作为自偏置电路的输出与第一级预调整电路连接，三极管Q1的集电极与电阻R1连接后与第二级预调整电路连接。所述的第一级预调整电路包括MOS管MP2、MN1、二极管ZD1、电容C1，所述MP2的源极与外部电源VIN连接，MP2的栅极与自偏置电路连接，MP2的漏极分别与MN1的栅极、二极管ZD1的阴极连接，MN1的漏极与外部电源VIN连接，MN1的源极作为第一级预调整电路的输出端VDD1与第二级预调整电路连接，二极管ZD1的阳极接地，且在二极管ZD1的两端并联有电容C1。所述的二极管ZD1为齐纳二极管。所述第二级预调整电路包括三个MOS管MP3、MP4、MP5，两个三极管Q3、Q4，一个电阻R2，所述的MP3的源极与第一级预调整电路的输出端VDD1连接，MP3的栅极与自偏置电路连接，MP3的漏极分别与Q4的集电极、电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端分别与三极管Q3的集电极、Q3的基极、Q4的基极连接，Q3的基极与Q4的基极连接，Q3的发射极与MP4的源极连接，Q4的发射极与MP5的源极连接，并作为第二级预调整电路的输出端VREF分别与带隙基准核心电路、信号反馈电路连接，MP4的栅极与MP5的栅极连接后与信号反馈电路连接，MP4的漏极与MP5的漏极同时接地。所述的带隙基准核心电路包括三个电阻R3、R4、R5，两个三极管Q6、Q7，所述的电阻R3和R4的一端连接后与第二级预调整电路的输出端VREF连接，R3的另一端分别与信号反馈电路、三极管Q6的集电极连接，Q6的基极和Q7的基极相连后与信号反馈电路连接，Q6的发射极通过电阻R5接地，电阻R4的另一端接到三极管Q7的集电极和基极，Q7的发射极接地。所述的信号反馈电路包括两个MOS管MP6、MP7，两个三极管Q5、Q8，一个电容C2，其中，MP6的源极和MP7的源极分别与第二级预调整电路的输出端VREF连接，MP6的栅极、MP7的栅极和MP7的漏极连接，MP6的漏极与三极管Q5的集电极连接，Q5的基极与带隙基准核心电路连接，且通过电容C2与第二级预调整电路的输出端VREF连接，Q5的发射极接地，MP7的栅极和MP7的漏极连接后与三极管Q8的集电极连接，Q8的基极与带隙基准核心电路连接，Q8的发射极接地。本专利技术电路的工作原理如下：假设电阻R3=R4=R，则当电路正常工作之后，如果电阻R3、R4之上流过的电流不相等，则通过Q6、Q7的镜像关系将两条支路电流的差值转化为Q5基极电压的变化，Q5可以看作一个单级的运放，MP6为其有源负载。这个传送到Q5基极的误差电压经过Q5的放大后经过一级源随器MP5到达基准电压的输出端VREF，由此反馈环路可以调节基准输出电压，只要环路增益足够大，则可以保证流过电阻R3、R4上的电流相等，即：I*R3=I*R4=I*R可得：VBE6+I*R5=VBE7式中VBE6、VBE7分别为Q6、Q7的基极—发射极电压。与传统带隙基准电压源中的推导过程一样可得：其中，N为Q6和Q7的发射极面积之比，VT为热电压，常温下约为26mV。这样基准输出电压的表达式为：可以看到，负反馈环路不仅保证了流过电阻R3、R4的电流相等，而且有助于减小输出基准电压VREF随预调整电压VDD2的变化。当预调整电压VDD2发生波动使得输出基准电压VREF增大时，负反馈环路通过MP4使得Q3的基极电压减小，由于Q4的基极和Q3的基极连在一起，所以可以抑制输出基准电压随预调整电压VDD2的变化。同时，由于采用了两级的预调整电路，输出基准电压的电源抑制比进一步得到提高，给出输出基准电压的电源抑制比的表达式如下：PSRRVREF/VIN︱dB=PSRRVREF/VDD1,2︱dB+PSRRVDD1,2/VIN︱dBPSRRVREF/VIN︱dB为基准VREF相对于电源电压VIN的电源抑制比,PSRRVREF/VDD1,2︱dB为基准VREF相对于预调整电压VDD1、VDD2的电源抑制比,PSRRVDD1,2/VIN︱dB为预调整电压VDD1,VDD2相对于电源电压VIN的电源抑制比。由此可以看出，本专利技术电路中输出基准电压电源抑制比确实比传统的带隙基准电压源电路有很大提高，特别是在高频下的特性。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：1本专利技术一种基准电源的产生电路，采用了自偏置电流镜结构的自偏置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基准电源的产生电路，其特征在于：包括依次连接的自偏置电路（1）、第一级预调整电路（2）、第二级预调整电路（3），所述第二级预调整电路（3）分别与带隙基准核心电路（4）和信号反馈电路（5）连接，所述带隙基准核心电路（4）与信号反馈电路（5）连接。

【技术特征摘要】
1.一种基准电源的产生电路，其特征在于：包括依次连接的自偏置电路（1）、第一级预调整电路（2）、第二级预调整电路（3），所述第二级预调整电路（3）分别与带隙基准核心电路（4）和信号反馈电路（5）连接，所述带隙基准核心电路（4）与信号反馈电路（5）连接。
2.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的自偏置电路（1）包括MOS管MP1、电阻R1、三极管Q1、三极管Q2，其中MOS管MP1的源极与外部电源VIN连接，MP1的漏极和栅极连接后通过电阻R1同时与三极管Q1的集电极和基极连接，三极管Q1的发射极同时与三极管Q2的集电极和基极连接，Q2的发射极接地，MP1的栅极作为自偏置电路（1）的输出与第一级预调整电路（2）连接，三极管Q1的集电极与电阻R1连接后与第二级预调整电路（3）连接。
3.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的第一级预调整电路（2）包括MOS管MP2、MN1、二极管ZD1、电容C1，所述MP2的源极与外部电源VIN连接，MP2的栅极与自偏置电路（1）连接，MP2的漏极分别与MN1的栅极、二极管ZD1的阴极连接，MN1的漏极与外部电源VIN连接，MN1的源极作为第一级预调整电路（2）的输出端VDD1与第二级预调整电路（3）连接，二极管ZD1的阳极接地，且在二极管ZD1的两端并联有电容C1。
4.根据权利要求3所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的二极管ZD1为齐纳二极管。
5.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述第二级预调整电路（3）包括三个MOS管MP3、MP4、MP5，两个三极管Q3、Q4，一个电阻R2，所述的MP3的源极与第一级预调整电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丹，
申请(专利权)人：朱丹，
类型：发明
国别省市：四川;51