本发明公开了一种改善浅槽隔离氧化硅膜表面平坦化的方法，包括：对于填满浅槽的氧化硅，先通过STI(浅沟槽隔离)的化学机械研磨，然后采用mask刻蚀AA密集区的氧化硅，从而改善浅槽隔离氧化硅膜表面的平坦化。本发明可以大幅降低对光刻对准精度的...

本发明公开了一种检查保护环完整性的方法，包括如下步骤：第1步，检查缓冲器件和内部器件的正对面之间是否有保护环进行隔离；第2步，在版图中寻找所有的保护环，并记录每个保护环的图形坐标；第3步，在版图中寻找出要求隔离的缓冲器件和内部器件，将每...

本发明公开了一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法，包括如下步骤：1)在硅基底上生长栅氧，在栅氧上沉积一层多晶硅，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极作为PIP多晶硅的底部多晶硅；在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶硅的中间绝缘层，然后再沉积一...

本发明公开了一种氧化钨通孔的制作方法，包括步骤：1)按现有工艺形成钨通孔，并填充钨以及进行钨平坦化；2)通过氧化作用形成氧化钨；3)采用化学气相沉积的方法在步骤2)形成的表面沉积一层氧化膜或能实现相同效果的介电质层；4)采用研磨的方式或...

本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制备方法，在形成氧化钨阻变存储单元后，包括步骤：在氧化钨阻变存储单元的顶部表面和侧面形成氮硅化合物牺牲层；进行回蚀刻处理，在氧化钨阻变存储单元的侧面形成侧壁阻挡层；形成顶层金属层。本发明能消除顶层金属层...

本发明公开了一种SiGe?HBT工艺中的PIS电容器，包括：硅衬底、浅沟槽隔离、P阱、P型重掺杂区、氧化层、锗硅外延层、隔离侧墙、接触孔和金属线，所述硅衬底上具有浅沟槽隔离和P阱，所述P阱上具有P型重掺杂区，所述浅沟槽隔离与P阱、P型重...

本发明公开了一种功率二极管的器件结构，器件的阳极上方有金属引线，金属引线分别通过掺杂区接触孔、外延区接触孔与元胞区域内的P型重掺杂区和N型外延区交替并行接触；所述金属引线、掺杂区接触孔、P型重掺杂区与N型外延区以及N型衬底形成PIN功率...

本发明公开了一种低导通电阻的超高压NLDMOS器件，其两个P-TOP之间的间隙位于器件源端的P阱与场氧化层边界之间的区域。本发明还公开了上述器件的制备方法。该超高压NLDMOS器件通过将两个P-TOP的间隙位置放置在靠近源端的P阱与LO...

本发明公开了一种NMOS器件，包括：P型衬底、浅沟槽隔离、P阱、热氧化层、二氧化硅介质层、氮化硅硬掩膜层、隔离侧墙和补偿区，所述浅沟槽隔离、热氧化层、P阱和补偿区并列于P型衬底上方，所述热氧化层和补偿区位于浅槽隔离和P阱之间，所述二氧化...

本发明公开了一种具有深赝埋层的锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有纵向接触的第二赝埋层和第一赝埋层，且第一赝埋层相互之间横向连接。第二赝埋层在横向上相互独立。集电区由两个沟槽中的隔离结构和各个赝...

本发明公开了一种SiGe?BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区的两侧；所述浅沟槽隔离底部形成有P型膺埋层和N型膺埋层，所述N型膺埋层与集电区相连；所述集电区和浅沟槽隔...

本发明公开了一种双层多晶硅一次性可编程器件结构，包括P型硅片，P型硅片形成有N型阱；N型阱内并排形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，第一P型重掺杂区与第二P型重掺杂区之间的N型阱上并排形成有存贮管栅氧、选通管栅氧，存贮管栅氧与选通...

本发明公开了一种能够用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱；各P型阱之间设有栅极；栅极的表面覆盖有层间氧化介质；所述栅极上方的层间氧化介质内设有一层金属板，该金属板与多晶硅栅之间的层间...

本发明公开了一种双通道高压结型场效应管降低夹断电压的结构及制造方法，硅衬底上形成一具有沟道区和漂移区的阱区，漂移区内有一漂移区反型层，沟道区外侧形成有栅极区，沟道区内有一沟道区反型层，其横向宽度大于沟道区的横向宽度，且两端与栅极区相连；...

本发明公开了一种SiGe?HBT器件结构，包括：硅衬底上具有集电区和膺埋层，场氧位于所述膺埋层上方，多晶硅栅位于所述场氧上方，基区位于所述多晶硅栅和集电区上方，发射区隔离氧化物位于所述基区上方，发射区位于所述发射区隔离氧化物和基区上方，...

本发明公开了一种隔离型高耐压场效应管，在硅基板衬底上将漏区的漂移区延展包住整个源区，形成源区的衬底和硅基板衬底的隔离，可以实现场效应管的衬底电位可以不受硅基板衬底的电位影响，独立加电位。本发明还提供一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，包...

本发明公开了一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所...

本发明公开了一种金属氧化物阻变存储器，阻变存储介质层的材料为由氧化硅和金属氧化物组成的复合材料。本发明还公开了一种金属氧化物阻变存储器的制造方法。本发明金属氧化物阻变存储器通过在金属氧化物阻变存储器材料中引入不具备阻变性能的高阻态硅氧化...

本发明公开了一种浅槽隔离结构，其截面形状呈现为正梯形，即开口处的宽度小于底部的宽度，其侧壁与底部的夹角为锐角；所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分，所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形，倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。本发明还...

本发明公开了一种P型一次性可编程器件结构，在硅片上形成有N型阱，在N型阱上从左到右依序形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的N型阱上及第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的...