本发明公开了一种5V?CMOS器件结构，包括：硅衬底上形成有P阱(N阱)和浅沟槽隔离，所述P阱(N阱)上形成有栅氧化层，所述栅氧化层上形成有栅多晶硅，隔离侧墙形成在栅氧化层和栅多晶硅两侧，所述栅多晶硅和P阱(N阱)由接触孔引出连接金属线...

本发明公开了一种具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件，包括有表面沟道的PMOS器件，该PMOS器件的栅极由p型掺杂的第一多晶硅层及其之上的n型掺杂的第二多晶硅层组成，在第二多晶硅层的表面形成有多晶硅化物，所述第二多晶硅层的掺杂浓度大于第...

本发明公开了一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区，两个N型有源区通过一P型有源区隔离；各P型阱之间设有栅极；所述每个P型...

本发明公开了一种用于评价CMOS多晶硅层OPC效果的测试结构，该结构包括2N个CMOS器件，根据设定尺寸采用相应的一套包括OPC过程的CMOS半导体工艺生产，将N个CMOS器件作为一组阵列，该阵列因布图方式不同而分为2组，一组作为检验组...

本发明公开了一种金属熔丝结构，在次顶层金属之上为一U形金属层，该U形金属层的底面与所述次顶层金属相接触；该U形金属层的底面之上为钝化层；所述次顶层金属与U形金属层的底面一起构成金属熔丝结构，所述U形金属层底面之上的钝化层为所述金属熔丝结...

本发明公开了一种埋层引出结构，包括衬底、外延层以及位于两者之间的埋层；在外延层中具有隔离区，在隔离区中具有接触孔电极，所述接触孔电极的底部在埋层中。本发明还公开了所述埋层引出结构的制造方法。本发明的埋层引出结构制作在隔离区，没有占据任何...

本发明公开了一种湿法洗净装置，包括：可编程序逻辑控制器、液位传感器、液位传感器采样管路、洗净槽等，HF液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为300mm；HNO3液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为200mm；H2O液位传感...

本发明公开了一种用于检测探针卡的特殊晶圆版图排布法及其晶圆的制作，其排布方法，包括：1)定义需要在晶圆上实现的产品的个数；2)根据产品个数，把晶圆划分成与产品个数相对应的区域，在每个区域中制作一个产品的IO?PAD阵列，形成特殊的晶圆图...

本发明公开了一种PN结器件铝穿通的判定方法，包括：在P型衬底中利用离子注入形成N阱；在N阱中通过离子注入形成一个N型掺杂区和多个P型掺杂区域；进行高温活化，生长介质层；在N型和P型掺杂区对应的位置刻蚀连接孔，连接孔底部和N型、P型掺杂区...

本发明公开了一种高压结型场效应管的结构及制造方法，具第一导电类型的硅衬底上形成具有第二导电类型的阱区，阱区内具有漂移区和体区，漂移区耐高压，体区是结型场效应管的沟道区；漂移区内形成具第一导电类型的反型层，反型层一端上有隔离结构，沟道区外...

本发明公开了一种制作双层栅沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层形成屏蔽栅；第三步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第四步，形成光刻胶图形；第五步，刻蚀...

本发明公开了一种制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻...

本发明公开了一种制作沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，在二氧化硅上形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀...

本发明公开了一种制作双层栅沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，形成第一轻掺杂外延层；第二步，形成屏蔽栅；第三步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第四步，形成光刻胶图形；第五步，刻蚀；第六步，选择性生长加横向生长第二外延层；第七...

本发明公开了一种深沟槽的硅外延填充方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上生长N型硅外延层；步骤2，采用硬掩膜的干法刻蚀在N型硅外延层上形成沟槽，沟槽刻蚀后沟槽顶部有硬掩膜；步骤3，采用含氯的硅源气体、卤化物气体、氢气以及掺杂气体的混合气...

本发明公开了一种交替排列的P型和N型半导体薄层的制备方法，包括步骤：1)在硅衬底上形成半导体层；2)打开预定窗口，并在同一窗口上对所述半导体层进行P型和N型掺杂介质注入；3)重复步骤1)和2)，直至半导体层的总厚度达到预定厚度；4)对所...

本发明公开了一种去除双极型晶体管工艺中发射极多晶硅刻蚀残留的方法，生长基区锗硅外延层后，在基区锗硅外延层上生长一层氧化膜，然后通过干法刻蚀氧化膜和锗硅外延层形成双极型晶体管的基极，采用湿法清晰去除基极上面的氧化膜，再淀积由氧化膜和氮化膜...

本发明公开了一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法，用可显影材料代替传统的两层光刻胶剥离工艺中的底层光刻胶，即在要制作金属图形的基片上先旋涂一层可显影材料，烘烤后再旋涂一层光刻胶，经一次带掩模版的曝光后，上层光刻胶的曝光区域和下层...

本发明公开了一种解决保护环刻蚀后残留的方法，包括：保通过在保护环两次成膜后，增加高温退火工艺，并对后续进行的保护环薄膜刻蚀，采用先干法刻蚀、后湿法刻蚀的顺序。本发明通过在保护环两次成膜后增加高温退火工艺来加大薄膜的致密度，拉近两层薄膜间...

本发明公开了一种改善RF?LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，包括：1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化...