一种湿法洗净装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种湿法洗净装置，包括：可编程序逻辑控制器、液位传感器、液位传感器采样管路、洗净槽等，HF液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为300mm；HNO3液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为200mm；H2O液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为100mm。本发明专利技术通过改造传统的湿法洗净设备相关的HNO3、H2O洗净槽内的液位传感器采样管口高低位置，通过高低位置的变化产生液体不同的配比，从而实现刻蚀条件HF∶HNO3＝2∶1到HF∶HNO3∶H2O＝1∶1∶1的应用转变，最终在不影响洗净效果的前提下，每次洗净过程可有效降低HF的使用量50％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种湿法洗净装置。
技术介绍
在半导体业界内普遍使用HF: HNO3: H2O = I: I: 1(体积比)的刻蚀条件进行洗净生成有D0P0S/P0LY(掺杂的多晶硅扩散/多晶硅)膜的石英及SIC部品，传统的湿法洗净装置(购自DAN INDUSTRY, JAPAN，见图1)原厂配置并没有HF: HNO3: H2O =1:1:1 (体积比)，一直使用HF: HNO3 = 2: 1(体积比)的刻蚀条件进行洗净，如图1所示，传统的湿法洗净装置，包括可编程序逻辑控制器1、洗净槽9、液位传感器8、以及洗净槽9内相关液位传感器采样管路(包括HF液位传感器采样管路4、HN03液位传感器采样管路5和H2O液位传感器采样管路6)。HF液位传感器采样管路4 (LE-P7)的位置为300mm ；HNO3液位传感器采样管路5 (LE-P6)的位置为285_ ；H20液位传感器采样管路6 (LE-P2)的位置为270_(此处位置指的是各液位传感器采样管路4、5、6的管口到洗净槽9底部的距离)。为了降低酸的使用量，减少排放，提高设备使用效能，亟需提出此刻蚀条件(H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法洗净装置，其特征在于，包括：可编程序逻辑控制器、液位传感器、液位传感器采样管路和洗净槽；所述洗净槽内设有H2O、HF、HNO3的进入管路，该进入管路上设有开关控制阀和气动阀，该气动阀由可编程序逻辑控制器控制；所述可编程序逻辑控制器与液位传感器连接；所述液位传感器采样管路包括HF、HNO3和H2O液位传感器采样管路，所述液位传感器采样管路的管口位于洗净槽内；当液位到达液位传感器采样管路的管口位置时，液位传感器闭合，同时给可编程序逻辑控制器信号，可编程序逻辑控制器控制相应气动阀关闭，停止该路液体的供应；所述HF液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为300mm；所述HNO3液位传感器采...

【技术特征摘要】
1.一种湿法洗净装置，其特征在于，包括:可编程序逻辑控制器、液位传感器、液位传感器采样管路和洗净槽；所述洗净槽内设有H20、HF、HNO3的进入管路，该进入管路上设有开关控制阀和气动阀，该气动阀由可编程序逻辑控制器控制；所述可编程序逻辑控制器与液位传感器连接；所述液位传感器采样管路包括HF、HNO3和H2O液位传感器采样管路，所述液位传感器采样管路的管口位于洗净槽内；当液位到达液位传感器采样管路的管口位置时，液位传感器闭合，同时给可编程序逻辑控制器信号，可编程序逻辑控制器控制相应气动阀关闭，停止该路液体的供应；所述HF液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为300mm ;所述HNO3液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为200mm ;所述H2O液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为100mm。2.按...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立成，杨继业，刘波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：