【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶片加工过程中对晶片清洗的设备，具体地说是一种实现对晶片表面进行优化清洗的双喷嘴清洗装置。
技术介绍
目前，在半导体晶片加工过程中需要一个高度清洁的环境以减少不必要微粒对工艺的影响。但随着精密度的不断提高，线宽的不断缩小以及洁净度的要求不断提高，不仅需要一个高洁净度的净化环境，在很多情况下还需要对晶片表面进行清洗，以满足对被处理晶片表面清洁度的要求。原来的晶片清洗方式是将晶片通过真空吸附的方式固定在承片台上，采用去离子水直接冲洗的办法对镜片表面进行清洗。这样依靠承片台带动晶片旋转时的离心力，再加上离子水的冲刷力将晶片上的微粒清除以达到清洗的目的。但是，这种方法由于去离子水直接喷射到晶片的中心位置，对边缘的清洗能力不足，使晶片的边缘处不能完全有效的将晶片表面的微粒完全冲洗掉。但随着半导体领域的进一步发展，对晶圆表面的清洁度要求越来越高，这种传统的方式已经不能满足目前一般性的生产要求。
技术实现思路
为了解决传统清洗方式不能完全有效地将晶片表面的微粒完全冲洗掉的问题，本专利技术的目的在于提供一种双喷嘴清洗装置。该清洗装置采用双喷嘴，通过调节双喷嘴之间的距离及工作时间实现对晶片表面做有效清洗的目的。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:本专利技术包括喷嘴电缸、主轴马达、承片台、壳体、喷嘴臂、主轴及工作台，其中主轴马达安装在工作台上，所述主轴的一端与主轴马达的输出端相连，另一端位于安装在工作台上的壳体的内部，在主轴的另一端连接有固定及旋转晶片的承片台；所述喷嘴电缸安装在工作台的一侧，喷嘴臂的一端与喷嘴电缸连接、通过喷嘴电缸的驱动往复移动，喷...
【技术保护点】
一种双喷嘴清洗装置，其特征在于：包括喷嘴电缸(1)、主轴马达(2)、承片台(3)、壳体(4)、喷嘴臂(7)、主轴(9)及工作台(10)，其中主轴马达(2)安装在工作台(10)上，所述主轴(9)的一端与主轴马达(2)的输出端相连，另一端位于安装在工作台(10)上的壳体(4)的内部，在主轴(9)的另一端连接有固定及旋转晶片(8)的承片台(3)；所述喷嘴电缸(1)安装在工作台(10)的一侧，喷嘴臂(7)的一端与喷嘴电缸(1)连接、通过喷嘴电缸(1)的驱动往复移动，喷嘴臂(7)的另一端位于晶片(8)的上方，在喷嘴臂(7)的另一端安装有与晶片(8)相对应的双喷嘴。
【技术特征摘要】
1.一种双喷嘴清洗装置，其特征在于:包括喷嘴电缸(1)、主轴马达(2)、承片台(3)、壳体(4)、喷嘴臂(7)、主轴(9)及工作台(10)，其中主轴马达(2)安装在工作台(10)上，所述主轴(9)的一端与主轴马达(2)的输出端相连，另一端位于安装在工作台(10)上的壳体(4)的内部，在主轴(9)的另一端连接有固定及旋转晶片⑶的承片台(3);所述喷嘴电缸(I)安装在工作台(10)的一侧，喷嘴臂(7)的一端与喷嘴电缸(I)连接、通过喷嘴电缸(I)的驱动往复移动，喷嘴臂(7)的另一端位于晶片(8)的上方，在喷嘴臂(7)...
【专利技术属性】
技术研发人员：张浩渊，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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