【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,在一衬底上端生长一层具有足够厚度的N型外延层;步骤2,利用光罩在所述N型外延层的上端定义出需要P阱注入的区域,利用高温退火将P阱注入进行推进;步骤3,通过一层光罩定义出沟槽的图案,采用干法刻蚀,在所述N型外延层中形成一定深度的多个第一沟槽;步骤4,采用选择性外延沉积的填充方式,在所述第一沟槽内填充P型单晶硅,形成P型柱;步骤5,采用化学机械研磨CMP将所述第一沟槽顶部表面的P型单晶硅去除,使该第一沟槽的表面磨平;步骤6,利用热氧化在所述N型外延层的顶端生长一层二氧化硅薄膜;步骤7,采用湿法刻蚀将所述二氧化硅薄膜完全去除;步骤8,采用光刻与干法刻蚀在两个P型柱之间形成一个第二沟槽;步骤9,在所述第二沟槽中填充多晶硅,利用干法刻蚀进行回刻,将第二沟槽之外的多晶硅去除;步骤10,利用离子注入在所述第一沟槽两侧的P阱中形成源极区;步骤11,对所述衬底背面减薄和蒸金,在所述衬底的背面形成漏极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张帅,刘远良,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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