一种薄膜晶体管和阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管和阵列基板的制作方法，涉及显示技术领域，解决了现有技术中制作薄膜晶体管以及阵列基板构图工艺次数多的问题。一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、阻挡层以及源漏极，其中，形成所述氧化物半导体层、阻挡层包括：依次形成氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜；利用一次构图工艺，将所述氧化物半导体薄膜形成为所述氧化物半导体层，将所述阻挡薄膜形成为所述阻挡层。本发明专利技术适用于显示装置的制造领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
以IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)为代表的氧化物半导体由于其具有电子迁移率高、均一性好等特点，已被广泛应用于液晶显示领域，是制作TFT(ThinFilm Transistor,薄膜场效应晶体管)中沟道的材料。现有的氧化物半导体薄膜晶体管，例如IGZO-TFT (Indium Gallium ZincOxide-Thin Film Transistor,铟镓锌-薄膜晶体管)阵列基板的制作过程为:在基板上依次形成的栅金属层、栅绝缘层、IGZO半导体层、阻挡层、源漏金属层、钝化层、像素电极层。其中，栅金属层、IGZO半导体层、阻挡层、源漏金属层、钝化层、像素电极层在形成过程中分别要经过一次沉积、光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离以形成各自的薄膜，即要经过六次曝光才能形成IGZO-TFT阵列基板。其构图工艺的次数多、周期长。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，所述方法可以减少薄膜晶体管和阵列基板制作过程中构图工艺的次数。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括:在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、阻挡层以及源漏极，形成所述氧化物半导体层、阻挡层包括:依次形成氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜；利用一次构图工艺，将所述氧化物半导体薄膜形成为所述氧化物半导体层，将所述阻挡薄膜形成为所述阻挡层。可选的，所述利用一次构图工艺，形成氧化物半导体层和阻挡层包括:在形成有氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜的基板上，涂布光刻胶；利用多色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述薄膜晶体管的沟道区域，所述光刻胶部分保留区域对应待形成氧化物半导体层的区域中除所述沟道区域之外的区域，其他区域的光刻胶完全去除；去除位于光刻胶完全去除区域的氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜；对所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶部分保留区域进行灰化处理，去除所述光刻胶部分保留区域；去除光刻胶部分保留区域的阻挡薄膜；将剩下的光刻胶剥离。可选的，所述多色调掩膜板包括:全透光区域、半透光区域和不透光区域；所述光刻胶为正性光刻胶，所述多色调掩膜板的不透光区域对应所述光刻胶完全保留区域，所述半透光区域对应所述光刻胶部分保留区域，所述全透光区域对应的光刻胶被完全去除；或者，所述光刻胶为负性光刻胶，所述多色调掩膜板的全透光区域对应所述光刻胶完全保留区域，所述半透光区域对应所述光刻胶部分保留区域，所述不透光区域对应的光刻胶被完全去除。可选的，所述多色调掩膜板包括:掩膜基板和半透光膜；所述掩膜基板包括:全透光部分和不透光部分，其中所述全透光部分对应所述全透光区域和所述半透光区域，所述不透光部分对应所述不透光区域；所述半透光膜贴附在所述掩膜基板上，对应所述半透光区域。可选的，在衬底基板上形成所述栅极包括:在衬底基板上形成栅极金属薄膜；利用一次构图工艺，将所述栅极金属薄膜形成所述栅极。可选的，在衬底基板上形成所述栅绝缘层包括:在衬底基板上形成栅绝缘薄膜。可选的，在衬底基板上形成所述源漏极包括:在衬底基板上形成源漏极金属薄膜；利用一次构图工艺，将所述源漏极金属薄膜形成所述源漏极。可选的，形成所述氧化物半导体层的材料为铟镓锌氧化物。可选的，形成所述栅极和/或源漏极的材料为钥。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括:在衬底基板上设置薄膜晶体管的步骤，在衬底基板上设置像素电极的步骤，其中，在衬底基板上设置薄膜晶体管采用本专利技术实施例提供的任一种所述的薄膜晶体管的制作方法。本专利技术实施例还提供了，所述方法利用一次构图工艺形成氧化物半导体层和阻挡层，相对于现有技术中分别利用一次构图工艺形成氧化物半导体层和阻挡层，减少了构图工艺的次数。附图说明图1为现有技术中一种阵列基板上像素单元俯视结构示意图；图2为图1所示的薄膜晶体管的剖视结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法流程图；图4为在衬底基板上将栅极金属薄膜形成栅极的制作方法流程图；图5为本专利技术实施例提供的利用一次构图工艺将氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜形成氧化物半导体层和阻挡层的制作方法流程图。图6为制作图2所示薄膜晶体管的过程中，在氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜上涂一层光刻胶后的不意图；图7为制作图2所示薄膜晶体管的过程中，对图6中的光刻胶进行显影后的示意图；图8为制作图2所示薄膜晶体管的过程中，去除位于光刻胶完全去除的区域的氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜后的示意图；图9为制作图2所示薄膜晶体管的过程中，对光刻胶进行灰化处理后的示意图；图10为制作图2所示薄膜晶体管的过程中，去除光刻胶部分保留区域的阻挡薄膜后的不意图11为制作图2所示薄膜晶体管的过程中，剥离光刻胶后的示意图；图12为图1所示的阵列基板的剖视结构示意图(仅示出了 TFT对应区域以及部分像素电极区域)；图13为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法。附图标记:1-基板；2_栅极；3_栅绝缘层；4_氧化物半导体层；5_阻挡层；6_源漏极；7_钝化层；8_像素电极；9_光刻胶(在图6-图10中光刻胶各状态均用9进行标记)；10_栅线；11-数据线；40_氧化物半导体薄膜；50_阻挡薄膜；51_第一阻挡图案；61_漏极；62_源极；100-薄膜晶体管。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。图1所示的是现有的阵列基板的俯视示意图。图2所示的是图1所示阵列基板上的薄膜晶体管100的剖视图，如图1、2所示，薄膜晶体管100包括:设置在衬底基板I上的栅极2 ;覆盖所述栅极2的栅绝缘层3 ;位于所述栅绝缘层3上方的氧化物半导体层4 ;位于氧化物半导体层4上方的阻挡层5 ;以及位于氧化物半导体层4上方阻挡层5上两侧的源漏极6，包括漏极61和源极62。以下是本专利技术实施例提供的一种制作薄膜晶体管的方法，但本专利技术不限于图示结构的薄膜晶体管。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括:在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、阻挡层以及源漏极，其中，形成所述氧化物半导体层、阻挡层包括:依次形成氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜；利用一次构图工艺，将所述氧化物半导体薄膜形成为所述氧化物半导体层，并将所述阻挡薄膜形成为所述阻挡层。其中，所述衬底基板为透明基板。形成所述氧化物半导体层的材料可以为IGZ0、MIZO (Mg-Ιη-Ζη-Ο,镁-铟-锌-氧)等，本专利技术实施例以氧化物半导体的材料为IGZO为例进行详细说明。形成所述阻挡层的材料可以为SiO2 (二氧化硅)。形成所述栅极和源漏极的材料可以为金属等导电材，本专利技术实施例中以形成所述栅极和源漏极的材料为钥为例进行详细说明。在本专利技术所有实施例中，需要阐明“薄膜”、“层”以及“图案”的定义，以及之间的关系。其中，“薄膜”是指将某一种材料在基板上利用沉积或其他工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”;若在整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上，形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、阻挡层以及源漏极，其特征在于，形成所述氧化物半导体层、阻挡层包括：依次形成氧化物半导体薄膜和阻挡薄膜；利用一次构图工艺，将所述氧化物半导体薄膜形成为所述氧化物半导体层，将所述阻挡薄膜形成为所述阻挡层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪水滨，王振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：