本发明公开了一种沟槽式功率MOS晶体管的制造方法，该方法在完成栅极制作后，沉积顶层金属前，进行以下步骤：1)生长二氧化硅介质层；2)在沟槽上方涂布负光阻剂，并利用沟槽的掩膜板曝光；3)干法刻蚀掉沟槽区域以外的二氧化硅；4)生长氮化硅膜；...

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，包括；N型耐压体区，位于该N型耐压体区上端的P体区，形成于所述P体区两侧的沟道区，位于该沟道区上端和P体区上端的N+发射区，在该N+发射区和沟道区侧端形成的沟槽，位于该沟槽和N+发射区上端的隔...

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，在外基区中包括有以发射区的外侧边缘为自对准边界的自对准注入的锗或碳杂质以及P型杂质。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明通过在外基区中注入锗或碳杂质，能减少外基区的P型杂质的横向...

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，基区由形成于浅槽场氧底部的N阱组成；发射区由形成于N阱中的第一P型赝埋层组成；集电区由形成于浅槽场氧底部且位于N阱的侧面第二P型赝埋层组成。N型深阱位于浅槽场氧的底部并将基区、发...

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，包括：P型衬底中形成有匹配层，膺埋层和集电区形成于匹配层上方，场氧区形成于膺埋层和部分集电区的上方，膺埋层和场氧区位于集电区两侧；氧化硅层形成于场氧区上方，多晶硅层形成于氧化硅层上方，基区形成于集电...

本发明公开了一种具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制造方法，包括：在HBT两侧的场氧区中，靠外边缘在部分场氧下有两个N+赝埋层；在N+赝埋层和有源区下方有匹配层；在HBT两侧的场氧区非赝埋层区域和匹配层上方有源区形成集电区；集...

本发明公开了一种自对准双极晶体管，通过发射区窗口介质层定义出发射区窗口和外基区自对准注入区，能实现发射区和外基区之间的良好对准；发射区由形成于发射区窗口中的多晶硅和发射区窗口介质层的上层多晶硅膜组成，能使发射区窗口做的很小，从而能减少器...

本发明公开了一种兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构及其制造方法，在硅衬底上依次包括以下的薄膜结构：栅极氧化膜、栅极多晶硅、金属钛以及氮化钛或者氮化钨、金属硅化物、自对准通孔用氮化硅；上述一系列膜整体构成MOSFET栅...

本发明公开了一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件及制造方法，P型硅衬底上形成P型外延，P型外延中形成N型低掺杂漏区、P阱和N型重掺杂漏区；P阱中形成N型重掺杂源区、P型重掺杂引出区；N型重掺杂漏区上方形成漏极钛金属硅化物层，P型重掺...

本发明公开了一种纵向PNP双极晶体管，包括位于两隔离结构之间的集电区，集电区之上具有基区，基区之上具有多晶硅发射极。所述集电区和隔离结构下方具有埋层，所述埋层之上且在两隔离结构的外侧具有集电极引出端。所述集电区为中低掺杂，所述埋层和集电...

本发明公开了一种寄生横向型NPN器件，由形成于相邻的两个有源区中的P型注入层组成基区，由基区的两个有源区之间的浅槽场氧底部形成的N型掺杂的多晶硅赝埋层组成发射区，由基区的两个有源区两侧的浅槽场氧底部形成的N型掺杂的多晶硅赝埋层组成集电区...

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，基区由硅缓冲层、锗硅单晶层和硅帽层中的本征硅部分组成基区，发射区由N型多晶硅和N型掺杂的硅帽层两部分组成。通过增加发射区的位于硅帽层中的部分的厚度，能使发射区中起作用部分的主要为硅帽层中的N型掺杂区...

本发明公开了一种超级结功率器件终端结构，包括原胞区和终端区，原胞区和终端区有沟槽，原胞内的沟槽和终端区的沟槽成正交相接，原胞区内的沟槽处向内收缩，使得终端区沟槽与原胞区内沟槽相交的长方形区域对角线长度尺寸最大值不超过原胞区内沟槽宽度的1...

本发明公开了一种监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构，包括栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上方的栅极多晶硅，栅极侧墙形成于栅极的两侧，源漏多晶硅形成于栅极侧墙的外侧，栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅均位于氧化硅浅...

本发明公开了一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构，包括：硅基板衬底上的接触孔中具有两组通孔，每组通孔具有N个工艺参数相同的通孔，所述通孔穿过硅片在硅片背面相互连接，所述两组通孔在硅片表面分别通过金属线引出，N≥5。本发明还公开了一种穿过硅片...

本发明公开了一种监控多晶硅侧墙下轻掺杂注入稳定性的测试结构，具有第一导电类型的硅基板上形成有由场氧隔离的有源区，有源区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，所述有源区的两侧缘上方及场氧上方生长有多晶硅，多晶硅的两侧形成有侧墙，至少两个有...

本发明公开了一种改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，在硅接触孔刻蚀工艺中加入步骤：做完源、漏极后，在包括STI区的硅衬底表面生长非掺杂的多晶硅作为刻蚀阻挡层，去除不需保护区域的多晶硅；在刻蚀接触孔时，先用二氧化硅对多晶硅高选择比的刻蚀工艺刻...

本发明公开了一种具有内侧墙的浅槽填充方法，将形成内侧墙的材料由非掺杂的二氧化硅改为高n型掺杂的二氧化硅，从而在刻蚀形成内侧墙时，巧妙地利用了干法反刻对高n型掺杂的二氧化硅和非掺杂的二氧化硅具有较高选择比的特点，完整保留非掺杂的二氧化硅，...

本发明公开了一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，包括：在P型硅衬底上生长P型外延；在P型外延上生长ONO叠层；光刻和干刻打开场氧形成处的ONO叠层；光刻和干刻，间隔地打开ONO叠层，刻蚀深沟槽，干刻去除ONO叠层中顶部的氧化...

本发明公开了一种深沟槽拐角钝化改善的方法，包括步骤：1)在硅基板上成长一层硬质掩膜板基材，并形成光刻图案；2)刻蚀形成硬质掩膜板图案；3)刻蚀形成深沟槽；4)将硬质掩膜板向两侧刻蚀；5)去除深沟槽顶部尖角；6)去除硬质掩膜板。本发明能实...