【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体领域中拐角钝化的方法,特别是涉及ー种。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsolatedGate Bipolar Transistor, IGBT)是由 MOSFET和双极型晶体管复合而成的ー种器件,其输入极为M0SFET,输出极为PNP晶体管,它综合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在绝缘栅双极型晶体管在半导体制作过程中,深沟槽的出现使得在制造过程中深沟槽的顶端会出现尖角的问题(如图1所示),这种尖角对后续的多晶硅的填充会有影响更有可能在后续产品中造成尖端放电的严重后果,从而导致器件的失效。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供ー种,通过该方法能解决深沟槽顶端尖锐的问题。为解决上述技术问题,本专利技术的,包括步骤:(I)在娃基板上成长ー层硬质掩膜板基材,形成光刻图案;(2)刻蚀形成硬质掩膜板图案;(3)刻蚀形成深沟槽;(4)将硬质掩膜板向两侧刻蚀;(5)去除深沟槽顶部尖角;(6)去除硬质掩膜板。所述步骤(I)中,硬质掩膜板基材,其厚度约为2000 3000A,包括:氧化膜、氮化膜、或能实现与氧化膜或氮化膜相同功能的膜(如氮氧化膜等)。所述步骤(2)中,采用干法或湿法刻蚀,形成硬质掩膜板图案。所述步骤(3)中,采用干法刻蚀,形成深沟槽,该深沟槽的深度可以为I 150微米。所述步骤(4)中,采用湿法刻蚀,将硬质掩膜板向两侧分别刻蚀500 1000A左右。所述步骤(5)中,采用干法刻蚀,将深沟槽顶部尖 ...
【技术保护点】
一种深沟槽拐角钝化改善的方法,其特征在于,包括步骤:(1)在硅基板上成长一层硬质掩膜板基材,并形成光刻图案;(2)刻蚀形成硬质掩膜板图案;(3)刻蚀形成深沟槽;(4)将硬质掩膜板向两侧刻蚀;(5)去除深沟槽顶部尖角;(6)去除硬质掩膜板。
【技术特征摘要】
1.ー种深沟槽拐角钝化改善的方法,其特征在于,包括步骤: (1)在硅基板上成长ー层硬质掩膜板基材,并形成光刻图案; (2)刻蚀形成硬质掩膜板图案; (3)刻蚀形成深沟槽; (4)将硬质掩膜板向两侧刻蚀; (5)去除深沟槽顶部尖角; (6)去除硬质掩膜板。2.如权利要求1所述的方法,其特征在干:所述步骤(I)中,硬质掩膜板基材,其厚度为2000 3000A,包括:氧化膜、氮化膜、或能实现与氧化膜或氮化膜相同功能的膜。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:所述能实现与氧化膜或氮化膜相同功能的膜,是氮氧化膜。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:郁新举,吴志勇,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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