一种消除沟槽顶端尖角的方法技术

本发明专利技术公开了一种消除沟槽顶端尖角的方法，包括如下步骤：1，ONO成长；2，ONO刻蚀；3，沟槽刻蚀：用ONO作为硬质掩膜进行干法刻蚀；4，横向湿法刻蚀硬质掩膜的中间氮化硅，要求完全露出沟槽顶端的尖角；5，全面刻蚀硬质掩膜上面残留的顶层氧化膜，同时横向刻蚀硬质掩膜的底层氧化膜；6，对沟槽底部进行沟槽同向刻蚀，同时对顶端的尖角进行横向和纵向刻蚀，减小顶端的尖角；7，在沟槽内生长一层牺牲氧化层，沟槽顶端尖角被完全氧化，尖角消失；8，牺牲氧化层湿法刻蚀；氮化硅湿法刻蚀，保留部分氮化硅作为HDP化学机械研磨的阻挡层。本发明专利技术能消除沟槽顶端尖角，确保后续HDP能够无孔填充沟槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，具体涉及一种沟槽功率MOS器件的制造方法，尤其涉及。
技术介绍
对于沟槽功率M0S，通常在沟槽底部填充均匀厚度的Si02，来降低栅漏电容，从而提高器件的工作频率。其中沟槽底部的Si02，通常用HDP(High Density Plasma Si02，高密度等离子体二氧化硅)无孔填充来实现。当沟槽顶端出现尖角时，HDP填充的Si02在沟槽内会有空孔(见图1)，将导致底部Si02均一性变差。现有工艺一般包括如下步骤:1.0NO成长:自下而上分别为——250A热氧/1800A氮化硅/2200AAPM(常压化学气相淀积氧化膜)。2.0NO刻蚀:带胶干法刻蚀，要求硅外延层过刻蚀IOOA以上。3.沟槽刻蚀:用ONO作为Hard Mask(硬质掩膜)进行干法刻蚀，沟槽深度为1.35um(微米)，宽度为 0.40um。4.Hole Rounding:对沟槽底部进行hole rounding (沟槽同向刻蚀)，横向刻蚀250A，纵向刻蚀400A，由于顶端尖角有Hard Mask保护，顶端的尖角几乎不变。5.牺牲氧化处理:牺牲氧化的厚度为500 A，由于沟槽顶端的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除沟槽顶端尖角的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1，ONO成长：在硅衬底的硅外延层上自下而上依次生长底层氧化膜、中间氮化硅和顶层氧化膜，形成ONO结构；步骤2，ONO刻蚀：带胶干法刻蚀，过刻蚀硅外延层；步骤3，沟槽刻蚀：用ONO作为硬质掩膜进行干法刻蚀；步骤4，湿法刻蚀氮化硅：横向刻蚀硬质掩膜的中间氮化硅，要求完全露出沟槽顶端的尖角；步骤5，湿法刻蚀氧化膜：全面刻蚀硬质掩膜上面残留的顶层氧化膜，同时横向刻蚀硬质掩膜的底层氧化膜；步骤6，沟槽同向刻蚀：对沟槽底部进行沟槽同向刻蚀，同时对顶端的尖角进行横向和纵向刻蚀，减小顶端的尖角；步骤7，牺牲氧化处理：在沟槽内生长一层牺牲氧化层，由于沟...

【技术特征摘要】
1.一种消除沟槽顶端尖角的方法，其特征在于:包括如下步骤: 步骤1，ONO成长:在硅衬底的硅外延层上自下而上依次生长底层氧化膜、中间氮化硅和顶层氧化膜，形成ONO结构； 步骤2，ONO刻蚀:带胶干法刻蚀，过刻蚀硅外延层； 步骤3，沟槽刻蚀:用ONO作为硬质掩膜进行干法刻蚀； 步骤4，湿法刻蚀氮化硅:横向刻蚀硬质掩膜的中间氮化硅，要求完全露出沟槽顶端的尖角; 步骤5，湿法刻蚀氧化膜:全面刻蚀硬质掩膜上面残留的顶层氧化膜，同时横向刻蚀硬质掩膜的底层氧化膜； 步骤6，沟槽同向刻蚀:对沟槽底部进行沟槽同向刻蚀，同时对顶端的尖角进行横向和纵向刻蚀，减小顶端的尖角； 步骤7，牺牲氧化处理:在沟槽内生长一层牺牲氧化层，由于沟槽顶端尖角处氧化速度较快，因此顶端的尖角被完全氧化，尖角消失； 步骤8，湿法刻蚀:牺牲氧化层湿法刻蚀，氮化硅湿法刻蚀，保留部分氮化硅作为HDP化学机械研磨的阻挡层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤I中，所述底层氧化膜采用热氧化工艺生长，该底层氧化膜的厚度为100-300A ;所述中间氮化硅采用低压化学气相淀积工艺生长，该中间氮化硅的厚度为1000-2000A;所述顶层氧化膜采用常压化学气相淀积工艺，该顶层氧化膜的厚度为2000-5000A。3.如权利要求1所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐俊杰，陈正嵘，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：