FinFET器件的制造方法及结构技术

本发明专利技术提供一种FinFET器件的制造方法及结构，采用沙漏状的鳍形应变硅沟道区替换传统的长方状或方状的鳍形应变硅沟道区，增大了鳍形应变硅沟道的宽长比，使得FinFET器件的驱动电流显著提高，制造工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种FinFET器件的制造方法及结构。
技术介绍
MOSFET (金属氧化半导体场效应晶体管)是大部分半导体器件的主要构件，当沟道长度小于IOOnm时，传统的MOSFET中，由于围绕有源区的硅衬底的半导体材料使源极和漏极区间互动，漏极与源极的距离也随之缩短，产生短沟道效应，这样一来栅极对沟道的控制能力变差，栅极电压夹断(Pinch off)沟道的难度也越来越大，如此便使亚阀值漏电(Subthrehhold leakage)现象更容易发生。鳍形场效晶体管(Fin Field effect transistor, FinFET)是一种新的金属氧化半导体场效应晶体管，其结构通常在绝缘体上硅(SOI)基片上形成，包括狭窄而孤立的硅条(即垂直型的沟道结构，也称鳍片)，鳍片两侧带有栅极结构。FinFET结构使得器件更小，性能更高。如图1所示，现有技术中一种FinFET器件的结构，包括:S0I衬底10、源极11、漏极12、鳍形应变硅沟道区13、以及围绕在鳍形应变硅沟道区13两侧及上方的导电栅极结构14。其中，源极11、漏极12与鳍形应变硅沟道区13，是通过图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成应变硅层；图案化所述应变硅层，形成源区和漏区以及位于所述源区和漏区之间的沙漏状的鳍形应变硅沟道区；形成围绕在所述沙漏状的鳍形应变硅沟道区两侧和上方的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述源区和漏区进行源/漏极离子注入，形成源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括: 提供硅衬底，在所述硅衬底上形成应变硅层； 图案化所述应变硅层，形成源区和漏区以及位于所述源区和漏区之间的沙漏状的鳍形应变硅沟道区； 形成围绕在所述沙漏状的鳍形应变硅沟道区两侧和上方的栅极结构； 以所述栅极结构为掩膜，对所述源区和漏区进行源/漏极离子注入，形成源极和漏极。2.如权利要求1所述的FinFET器件的制造方法，其特征在于，对所述源区和漏区进行源/漏极离子注入之前或之后，还包括:以所述栅极结构为掩膜，对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：