FinFET器件制造方法技术

本发明专利技术提供一种FinFET器件制造方法，在鳍形沟道区原本位置处形成鳍形应变锗硅沟道，保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，增大了沟道应力，提高了FinFET器件的驱动电流；同时，沙漏状的鳍形应变锗硅沟道比条状的宽长比性能更高，包括应变锗硅层和应变碳硅层的鳍形应变硅沟道的应力性能更高，栅极结构及FinFET基体上方形成有高应力的应力材料层的沟道区应力性能更高，以此获得的FinFET器件的驱动电流更高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种FinFET器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延硅层；图案化所述外延硅层，形成FinFET基体，所述FinFET基体包括源区和漏区以及位于所述源区和漏区之间的沟道区；形成围绕在所述沟道区两侧和上方的多晶硅虚拟栅极结构；在所述半导体衬底与FinFET基体上方沉积介质层，并化学机械平坦化至多晶硅虚拟栅极结构顶部；以所述介质层为掩膜，移除所述多晶硅虚拟栅极结构及其下方的预定义厚度的外延硅层，形成沟道开口；在所述沟道开口中通过锗硅原位掺杂工艺生长应变锗硅层，形成应变硅沟道；形成围绕在所述应变硅沟道两侧和上方的栅极结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：