【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法。
技术介绍
目前,功率晶体管大量应用于大功率开关器件,此种器件一般采用垂直导电结构。在器件的物理结构方面,沟槽型结构是其中的一种典型结构,且应用广泛。沟槽型功率晶体管的栅极位于沟槽内,当形成栅极时,需要向沟槽内填充多晶硅。在传统工艺中,多晶硅沉积厚度约为6K。因为沟槽很深(深度> 1.0um),因此多晶硅填充沟槽后,沟槽内的多晶硅顶端面在水平方向上的高度低于源极。经过多晶硅蚀刻制程后,沟槽内多晶硅表面则形成凹陷的V型槽,并且沟槽宽度越宽,V型槽凹陷越严重。此V型槽会影响开关器件漏电流,增加栅极上方的Cont (接触器)阻值,进而影响开关器件的开关速度以及功耗,同时栅极上方ILD(内层介电层)厚度会随着V型槽的凹陷增加而增加,此状况会缩小Cont蚀刻制程窗口,当凹陷达到一定程度后,更有可能会使得ILD厚度太厚而无法蚀刻干净,以致Cont无法良好连接到栅极,导致开关器件失效。目前有两种可以解决上述问题的改进工艺:第一种是增加多晶硅沉积厚度(约10K),但是此工艺在增加成 ...
【技术保护点】
一种减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:提供一基底,所述基底上表面设置有外延层,所述外延层上表面设置有垫层氧化层,所述垫层氧化层上表面设置有硬罩幕层;步骤2:采用光刻在所述硬罩幕层上定义出沟槽区域;然后采用蚀刻在位于所述硬罩幕层的沟槽区域下方的所述垫层氧化层上继续定义沟槽;步骤3:在所述步骤2最终形成的沟槽基础上,进一步采用蚀刻在位于所述垫层氧化层的沟槽下方的所述外延层上形成用作栅极的沟槽;步骤4:在所述步骤3的形成用作栅极的沟槽基础上,去除所述硬罩幕层;步骤5:在所述步骤4的基础上,在所述外延层的上表面设置栅极氧化层;然后在 ...
【技术特征摘要】
1.一种减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1:提供一基底,所述基底上表面设置有外延层,所述外延层上表面设置有垫层氧化层,所述垫层氧化层上表面设置有硬罩幕层; 步骤2:采用光刻在所述硬罩幕层上定义出沟槽区域;然后采用蚀刻在位于所述硬罩幕层的沟槽区域下方的所述垫层氧化层上继续定义沟槽; 步骤3:在所述步骤2最终形成的沟槽基础上,进一步采用蚀刻在位于所述垫层氧化层的沟槽下方的所述外延层上形成用作栅极的沟槽; 步骤4:在所述步骤3的形成用作栅极的沟槽基础上,去除所述硬罩幕层; 步骤5:在所述步骤4的基础上,在所述外延层的上表面设置栅极氧化层;然后在所述栅极氧化层的上表面沉积用于填充沟槽的多晶硅; 步骤6:蚀刻所述步骤5中用于填充沟槽的多晶硅以形成栅极,同时在沟槽内多晶硅顶端形成V型槽; 步骤7:在所述步骤6的基础上形成的栅极的上表面沉积用于填充V型槽的多晶硅; 步骤8:蚀刻所述步骤7中沉积的多晶硅以形成栅极。2.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:石亮,孙张虎,施晓东,瞿学峰,
申请(专利权)人:和舰科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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