搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术披露了一种新结构的搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管(TFT)的制备方法。使用BG多晶硅作为有源层，TFT通道区域，电流垂直流过平行的BG线。相比之下，在源/漏区，电流平行流过BG线。利用BG线导电性的的各向异性，可以不必进行源/漏极掺杂处理。制造过程可以简化，与传统的没有BG结构的多晶硅薄膜晶体管相比，所披露的没有源漏掺杂的BG多晶硅TFT保持了有源漏极掺杂处理的BG-TFT的所有优点。

【技术实现步骤摘要】
搭桥晶粒多晶娃薄膜晶体管的制造方法
本专利技术总的涉及多晶粒薄膜晶体管(TFT)，更具体地，涉及一种没有源漏极掺杂处理的搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
为实现多晶硅TFT有源矩阵显示器面板的工业化制造，需要很高质的多晶硅膜。它需要满足以下要求:低温加工、可以在大面积玻璃衬上实现、低制造成本、稳定的制造工艺、高性能、一致的特性、以及晶硅TFT的高可靠性。高温多晶硅技术可以用来实现高性能TFT，但是它不能用于商业显示器面板中使用的普通玻璃衬底。在这样的情形下必须使用低温多晶硅(LTPS)。有三种主要的LTPS技术:(1)通过在600°C长时间退火的固相结晶(SPC) ；(2)准分子激光晶化(ELC)或闪光灯退火；以及(3)金属诱导结晶(MIC)及其有关变体。ELC产生最好的结果但是昂贵，SPC成本最低但是花的时间长，这些技术都不能满足上述低成本和高性能的所有要求。所有多晶薄膜材料所共有的是，膜的晶粒在尺寸、晶体取向和形状上基本上随机分布。晶界通常也对优良TFT的形成有害，当该多晶薄膜被用作TFT中的有源层时，电特性取决于在有源沟道中存在多少晶粒和晶界。所有现有技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一个形成多晶硅半导体薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、制造多晶硅薄膜，形成一个有源区域；步骤二、制造多个彼此大致平行导线；导线的位置垂直于有源区域中沟道区域内所需电流的流动方向；同时，导线的位置平行于有源区域中源/漏极区域内所需电流的流动方向。

【技术特征摘要】
1.一个形成多晶硅半导体薄膜的方法，包括如下步骤: 步骤一、制造多晶硅薄膜，形成一个有源区域； 步骤二、制造多个彼此大致平行导线；导线的位置垂直于有源区域中沟道区域内所需电流的流动方向；同时，导线的位置平行于有源区域中源/漏极区域内所需电流的流动方向。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该导线为横向导电桥。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤一中，将有源层中的源极区与漏极区构造为一不对称的位置，沟道区域分别连接源极区的一端与漏极区的另一端，从而将有源层设计成Z字形。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤一中，将有源层构造为源/漏极区域上下对称，而沟道区域位于源/漏极区域左侧，以连接源/漏极区域，从而将有源层设计成C字形。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导线宽度小于10μ m、间距小于10 μ m。6.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周玮，赵淑云，郭海成，
申请(专利权)人：广东中显科技有限公司，
类型：发明
国别省市：