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本发明披露了一种新结构的搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管(TFT)的制备方法。使用BG多晶硅作为有源层，TFT通道区域，电流垂直流过平行的BG线。相比之下，在源/漏区，电流平行流过BG线。利用BG线导电性的的各向异性，可以不必进行源/漏极掺杂处理。...
该专利属于广东中显科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中显科技有限公司授权不得商用。

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