一种制备多晶硅薄膜的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜的方法，包括：1)在玻璃基板上，使用等离子体增强化学气相沉积沉积氧化硅薄膜；2)用低压化学气相沉积方法沉积非晶Si薄膜；3)去除自然氧化层后，通过氧化使非晶Si薄膜表面形成一层100纳米厚的氧化物层；4)在氧化物层中形成宽度为8微米间隔为100μm的凹槽作为诱导线；5)在SiO2纳米氧化层上溅射一层缓释镍/硅氧化源层，进行金属诱导结晶；6)在N2气氛下加热，到非经Si完全结晶；7)去除表面上残留的镍；8)在步骤7)得到的多晶硅薄膜中，通过掺杂形成平行的导电带或导电线，所述导电带或导电线连接多个晶粒。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种制备具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜的方法，包括：1)在玻璃基板上，使用等离子体增强化学气相沉积沉积氧化硅薄膜；2)用低压化学气相沉积方法沉积非晶Si薄膜；3)去除自然氧化层后，通过氧化使非晶Si薄膜表面形成一层100纳米厚的氧化物层；4)在氧化物层中形成宽度为8微米间隔为100μm的凹槽作为诱导线；5)在SiO2纳米氧化层上溅射一层缓释镍/硅氧化源层，进行金属诱导结晶；6)在N2气氛下加热，到非经Si完全结晶；7)去除表面上残留的镍；8)在步骤7)得到的多晶硅薄膜中，通过掺杂形成平行的导电带或导电线，所述导电带或导电线连接多个晶粒。【专利说明】—种制备多晶硅薄膜的方法
本专利技术涉及多晶硅技术，更具体地涉及一种晶粒多晶硅薄膜技术。
技术介绍
在传统的有源矩阵显示领域，TFT通常是用非晶硅(a-Si)材料做成的。这主要是因为其在大面积玻璃底板上的低处理温度和低制造成本。最近多晶硅用于高分辨率的液晶显示器(IXD)和有源有机电致发光显示器(AMOLED)。多晶硅还有着在玻璃基板上集成电路的优点。此外，多晶硅具有较大像素开口率的可能性，提高了光能利用效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵淑云，郭海成，王文，
申请(专利权)人：广东中显科技有限公司，
类型：发明
国别省市：