一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构及测试方法技术

本发明专利技术公开了一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构，包括：硅基板衬底上的接触孔中具有两组通孔，每组通孔具有N个工艺参数相同的通孔，所述通孔穿过硅片在硅片背面相互连接，所述两组通孔在硅片表面分别通过金属线引出，N≥5。本发明专利技术还公开了一种穿过硅片接触孔的电阻测试方法。本发明专利技术穿过硅片接触孔的电阻测试结构及测试方法通过卡尔文测电阻方法，在硅片生产中允收测试阶段能测试出穿过硅片表面接触孔的精确电阻，能应用于射频模型的精确提取。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构。本专利技术还涉及一种穿过硅片接触孔的电阻测试方法。
技术介绍
传统接触孔测试结构采用链接(Chain)方式(如图4所示)在有源区或者多晶硅两端各连一个接触孔，并用金属铝线和下个单元连接，用链接方式串联起来，通过测试端口一和二之间加电压测电流方式，可以得出整个结构的电阻，再除以接触孔数据，就可以得出单个孔加上接触孔间有源区电阻的一半。这种结构的局限在通孔下方必须为形状规则的有源区或者多晶硅，但是对于穿过硅片表面的通孔如图1所示，是直接在硅片表面刻蚀，通孔下方是整个硅基底，并且背面蒸金后所有深通孔均会连接在一起，传统的链接方式不适用于测量通孔(TSV)的电阻值。如果采用单孔测量方式，在通孔一端连接金属连线作为测试端，另一端采用背面接地的方法测试。如果背面接触不稳定，则会引入较大的测试误差，这不适用于深通孔电阻值的监控和射频模型的提取。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构在硅片生产中允收测试阶段能测试出穿过硅片表面接触孔的精确电阻，能应用于射频模型的提取。为此，本专利技术还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构，其特征是，包括：硅基板衬底上的接触孔中具有两组通孔，每组通孔具有N个工艺参数相同的通孔，所述通孔穿过硅片在硅片背面相互连接，所述两组通孔在硅片表面分别通过金属线引出，其中N≥5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苗彬彬，金锋，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：