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本发明公开了一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构，包括：硅基板衬底上的接触孔中具有两组通孔，每组通孔具有N个工艺参数相同的通孔，所述通孔穿过硅片在硅片背面相互连接，所述两组通孔在硅片表面分别通过金属线引出，N≥5。本发明还公开了一种穿过硅片接触...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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