半导体测试结构及其形成方法、测试方法技术

一种半导体测试结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上至少两个栅极结构；位于半导体衬底和栅极结构表面的介质层；位于所述栅极结构两端的共享接触插塞，所述共享接触插塞贯穿介质层一部分位于栅极结构一端的表面，一部分位于栅极结构相应一侧的半导体衬底上；位于介质层上连接栅极结构间相邻共享接触插塞的金属互连线，未连接有金属互连线的共享接触插塞作为测试电压的输入端。本发明专利技术的半导体测试结构能测试半导体器件中的共享接触插塞是否存在缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着以电子通讯技术为代表的现代高科技产业的不断发展，世界集成电路产业总产值以每年超过30%的速度发展，静态随机存储器(SRAM)作为一种重要的存储器件被广泛应用于数字与通讯电路设计中。SRAM是逻辑电路中一种重要部件，其因为具有功耗小，读取速度高等优点而广泛应用于数据的存储。在器件的特征尺寸(CD)进入深亚微米阶段后，为了更大的数据存储量以及节省芯片空间，共享接触结构(Share Contact)已广泛应用在静态随机存储器(SRAM)制作中。图1为现有静态随机存储器(SRAM)部分结构的俯视示意图，图2为图1沿切割线A-B方向的剖面结构示意图。参考图1，图中虚线部分表示位于介质层(图中为示出)，包括:晶体管10、晶体管20、晶体管30、晶体管40，其中晶体管10和晶体管20具有共同栅极101，且共同栅极101延伸至晶体管30的源区102，晶体管30和晶体管40具有共同栅极105，且共同栅极105延伸至晶体管20的漏区；位于晶体管10的源漏区上的插塞102a和103a，位于晶体管30漏区上的插塞103c ;共享接触插塞104，一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上至少两个栅极结构；位于半导体衬底和栅极结构表面的介质层；位于所述栅极结构两端共享接触插塞，所述共享接触插塞贯穿介质层，一部分位于栅极结构一端的表面，一部分位于栅极结构相应一侧的半导体衬底上；位于介质层上连接栅极结构间相邻共享接触插塞的金属互连线，未连接有金属互连线的共享接触插塞作为测试电压的输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秋艳鹏，王立，李彦勋，黄晓辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31