一种碳化硅电力电子器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种碳化硅电力电子器件，旨在提高供一种结构简单、精密程度高，且生产成本低廉的碳化硅电力电子器件。该器件包括：一碳化硅半导体薄膜以及形成于碳化硅半导体薄膜上的掩膜层，所述的掩膜层为通过光刻和氧化后成型的氧化硅薄膜图案，该氧化硅薄膜图案间形成有间隙。本实用新型专利技术在碳化硅半导体薄膜上淀积硅薄膜层，将硅薄膜层经刻蚀后形成硅薄膜，并在硅薄膜上进行氧化工艺处理，通过氧化形成氧化硅薄膜图案，该氧化硅薄膜图案可通过氧化温度和时间等条件，精确控制其宽度，即可控制氧化硅薄膜图案之间的间隙的大小，使本实用新型专利技术精密程度高，可满足不同产品的需求。另外，本实用新型专利技术还具有制作简单、成本低廉等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，特指一种结构简单、精密程度高，且生产成本低廉的碳化娃电力电子器件。技术背景碳化硅(SiC)是一种重要的宽带隙半导体材料，在高温、高频和大功率器件等领域有着巨大的应用潜力。和传统的硅(Si)材料相比，SiC拥有明显的优势，比如，其禁带宽度是Si的3倍，饱和电子漂移速率是Si的2. 5倍，击穿电场是Si的10倍。除了以上优点外，SiC还是众多化合物半导体中唯--种可以自身形成氧化物(SiO2)的化合物半导体，而SiO2本身又是半导体器件制备工艺中最常用的绝缘介质材料，因而SiC材料可以与传统的Si器件制备工艺相兼容。SiC功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)便是体现上述SiC优越性能的典型器件。传统的Si基MOSFET由于其在较高电压下有着很大的导通电阻，往往无法在大功率领域使用。基于碳化硅的优异特性，其被应用于晶圆产品中，如何更进一步提升商业化的碳化硅晶圆的性能，已经成为生产厂商的首要问题
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题就在于提供一种结构简单、精密程度高，且生产成本低廉的碳化娃电力电子器件。为了解决上述技术问题，本技术采用了下述技术方案该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅电力电子器件，其特征在于：该器件包括：一碳化硅半导体薄膜（1）以及形成于碳化硅半导体薄膜（1）上的掩膜层（2），所述的掩膜层（2）为通过光刻和氧化后成型的氧化硅薄膜图案（22），该氧化硅薄膜图案（22）间形成有间隙（20）。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅电力电子器件，其特征在于该器件包括一碳化硅半导体薄膜(I)以及形成于碳化硅半导体薄膜(I)上的掩膜层(2)，所述的掩膜层(2)为通过光刻和氧化后成型的氧化硅薄膜图案(22 )，该氧化硅薄膜图案(22 )间形成有间隙(20 )。2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锡光，萧黎鑫，黎秀靖，张新河，俞军，刘丹，潘胜，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：