本实用新型专利技术涉及一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置，包括电涡流激励器f1，激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流；电涡流传感器，感应涡流生成电流信号和电压信号；电流信号和电压信号依次经过信号采集器、差频器、中频放大器、检波及低通电路、直流放大器处理，最后得到电流和电压的模拟量。本实用新型专利技术电涡流传感器感应硅片上形成的涡流生成电流信号和电压信号，然后依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直流放大，最后得到电压和电流的模拟量计算出太阳能硅片的电阻率。本实用新型专利技术相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置，包括电涡流激励器f1，激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流；电涡流传感器，感应涡流生成电流信号和电压信号；电流信号和电压信号依次经过信号采集器、差频器、中频放大器、检波及低通电路、直流放大器处理，最后得到电流和电压的模拟量。本技术电涡流传感器感应硅片上形成的涡流生成电流信号和电压信号，然后依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直流放大，最后得到电压和电流的模拟量计算出太阳能硅片的电阻率。本技术相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。【专利说明】—种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置
本技术属于太阳能硅片测试领域，尤其涉及一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置。
技术介绍
太阳能硅片的电阻率是评判太阳能硅片导电能力的重要指标之一，为防止规格参差太大，测试太阳能硅片电阻率是太阳能硅片加工成太阳能电池片前的重要检测工序。 现有技术中，太阳能硅片电阻率电涡流测量装置采用了较为复杂的高频变频、低频锁相放大、低频带通滤波等成品仪器、仪表组合，以致具有设备环节多、体积大、补偿、协调控制复杂、自校正、补偿耗时长影响测试速度、造价昂贵等缺点。 因此，亟需一种简单快速的太阳能硅片电阻率电涡流测试装置。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置。 实现本技术目的的技术方案是:一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，包括: 电涡流激励器fl，设置于太阳能硅片表面并设置有间隔，用于激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流； 电涡流传感器，设置于太阳能硅片表面，用于感应所述涡流生成电流信号和电压信号; 信号采集器，与所述电涡流传感器的输出端连接，用于采集电涡流传感器输出的电流信号和电压信号； 高频振荡源f2; 差频器，所述差频器分别与所述信号采集器的输出端、高频振荡源f2连接，用于将采集到的电压信号、电流信号与高频振荡源f2差频后得到中频电压信号、中频电流信号; 中频放大器，与所述差频器的输出端连接，用于将中频电压信号、中频电流信号进行放大； 检波及低通电路，与所述中频放大器的输出端连接，用于将放大后的中频电压信号、中频电流信号进行滤除交流分量； 直流放大器，与所述检波及低通电路的输出端连接，用于将滤除后中频电压信号、中频电流信号进行放大； 模数转换器，与所述直流放大器的输出端连接，用于将中频电压信号、中频电流信号转换为电压的模拟量和电压的模拟量。 进一步的，所述电涡流传感器为线圈和电容并联的谐振回路。 进一步的，所述信号采集器包括高频变压器和电阻，所述高频变压器采集涡流生成的电压信号，无感电阻采集涡流生成的电流信号。 进一步的，所述电涡流激励器f I生成频率为2.725Mhz?2.775Mhz，幅度为 1.5Vp-p±2mV的高频正弦波信号。 进一步的，还设置有自动幅度控制器，所述自动幅度控制器的输出端与所述电涡流激励器f I的输入端连接。 进一步的，所述高频振荡源f2生成频率大于fl465Khz的高频正弦波信号。 进一步的，还设置有f2幅度控制器，所述f2幅度控制器的输出端与所述高频振荡源f2的输入端连接。 本技术具有积极的效果:本技术基于电涡流激励器fl激励硅片，电涡流传感器感应硅片上形成的涡流生成电流信号和电压信号，然后依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直流放大，最后得到电压和电流的模拟量计算出太阳能硅片的电阻率。本技术相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。 【专利附图】【附图说明】 为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中: 图1为本技术的结构框图。 【具体实施方式】 如图1所75,作为第一优选实施方式,本实施方式提供一种太阳能娃片电阻率电涡流测试装置，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，包括: 电涡流激励器fl，设置于太阳能硅片表面并设置有间隔，用于激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流； 电涡流传感器，设置于太阳能硅片表面，用于感应涡流生成电流信号和电压信号; 信号采集器，与电涡流传感器的输出端连接，包括高频变压器和电阻，高频变压器采集涡流生成的电压信号，无感电阻采集涡流生成的电流信号； 高频振荡源f2 ； 差频器，包括第一差频器和第二差频器，均分别与信号采集器的输出端、高频振荡源f2连接，用于将采集到的电压信号、电流信号与高频振荡源f2差频后得到中频电压信号、中频电流信号； 中频放大器，包括第一中频放大器和第二中频放大器，分别与差频器的输出端连接，用于将中频电压信号、中频电流信号进行放大； 检波及低通电路，包括第一检波及低通电路和第二检波及低通电路，分别与中频放大器的输出端连接，用于将放大后的中频电压信号、中频电流信号进行滤除交流分量； 直流放大器，包括第一直流放大器和第二直流放大器，分别与检波及低通电路的输出端连接，用于将滤除后中频电压信号、中频电流信号进行放大； 模数转换器，与直流放大器的输出端连接，用于将中频电压信号、中频电流信号转换为电压的模拟量和电压的模拟量。 本实施方式基于电涡流激励器fl激励硅片，电涡流传感器感应硅片上形成的涡流生成电流信号和电压信号，然后依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直流放大，最后得到电压和电流的模拟量计算出太阳能硅片的电阻率。本实施方式相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。 本实施方式提供的电涡流传感器为线圈和电容并联的谐振回路；电涡流激励器Π生成频率为2.725Mhz?2.775Mhz,幅度为1.5Vp-p±2mV的高频正弦波信号，电涡流激励器Π由Π自动幅度控制器控制；高频振荡源f2生成频率大于fl465Khz的高频正弦波信号，高频振荡源f2由f2幅度控制器控制。 以上所述的具体实施例，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，其特征在于，包括: 电涡流激励器fl，设置于太阳能硅片表面并设置有间隔，用于激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流； 电涡流传感器，设置于太阳能硅片表面，用于感应所述涡流生成电流信号和电压信号; 信号采集器，与所述电涡流传感器的输出端连接，用于采集电涡流传感器输出的电流信号和电压信号； 高频振荡源f2 ； 差频器，所述差频器分别与所述信号采集器的输出端、高频振荡源f2连接，用于将采集到的电压信本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能硅片电阻率电涡流测试装置，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，其特征在于，包括：电涡流激励器f1，设置于太阳能硅片表面并设置有间隔，用于激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流；电涡流传感器，设置于太阳能硅片表面，用于感应所述涡流生成电流信号和电压信号；信号采集器，与所述电涡流传感器的输出端连接，用于采集电涡流传感器输出的电流信号和电压信号；高频振荡源f2；差频器，所述差频器分别与所述信号采集器的输出端、高频振荡源f2连接，用于将采集到的电压信号、电流信号与高频振荡源f2差频后得到中频电压信号、中频电流信号；中频放大器，与所述差频器的输出端连接，用于将中频电压信号、中频电流信号进行放大；检波及低通电路，与所述中频放大器的输出端连接，用于将放大后的中频电压信号、中频电流信号进行滤除交流分量；直流放大器，与所述检波及低通电路的输出端连接，用于将滤除后中频电压信号、中频电流信号进行放大；模数转换器，与所述直流放大器的输出端连接，用于将中频电压信号、中频电流信号转换为电压的模拟量和电压的模拟量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜友钧，郑钰，赵丹，
申请(专利权)人：江苏瑞新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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