一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，电涡流激励器f1激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号，该电流、电压信号依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直流放大和模数转换，最后得到电压和电流的模拟量并根据公式计算出太阳能硅片的电阻率。本方法相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能硅片测试领域，尤其涉及一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方 法。 -种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法
技术介绍
太阳能硅片的电阻率是评判太阳能硅片导电能力的重要指标之一，为防止规格参 差太大，测试太阳能硅片电阻率是太阳能硅片加工成太阳能电池片前的重要检测工序。 现有技术中，太阳能硅片电阻率电涡流测量方法采用了较为复杂的高频变频、低 频锁相放大、低频带通滤波等成品仪器、仪表组合，以致具有设备环节多、体积大、补偿、协 调控制复杂、自校正、补偿耗时长影响测试速度、造价昂贵等缺点。 因此，亟需一种简单快速的太阳能硅片电阻率电涡流测试方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种太阳能硅片电阻率电涡流测 试方法。 实现本专利技术目的的技术方案是：，适用于 单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，包括以下步骤： 步骤一，电涡流激励器Π 激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流 传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号； 步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信 号； 步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压 信号，第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号； 步骤四，将步骤三中的中频电压信号依次经过第一中频放大器进行中频放大、第 一检波及低通电路进行滤除交流分量、第一直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后 得到电压的模拟量V; 步骤五，将步骤三中的中频电流信号依次经过第二中频放大器进行中频放大、第 二检波及低通电路进行滤除交流分量、第二直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后 得到电流的模拟量i ; 步骤六，将步骤四和步骤五中电压的模拟量V和电流i的模拟量根据以下公式计 算出太阳能硅片的电阻率： V L x Ω = (---) t i AM 其中，L为涡流的圆形长度，A为涡流的面积，M为电涡流激励器fl激励与硅片电 涡流之间的耦合系数，t为太阳能硅片的厚度。 进一步的，所述步骤一中电涡流传感器为线圈和电容并联的谐振回路。 进一步的，所述步骤一中电涡流激励器Π 生成频率为2. 725Mhz?2. 775Mhz，幅度 为1. 5Vp-p±2mV的高频正弦波信号。 进一步的，所述步骤一中电涡流激励器Π 的输入端连接有Π 自动幅度控制器。 进一步的，所述步骤三中高频振荡源f2生成频率大于fl465Khz的高频正弦波信 号。 进一步的，所述步骤三中高频振荡源f2的输入端连接有f2幅度控制器。 本专利技术具有积极的效果：本专利技术的测试方法是基于电涡流激励器Π 激励硅片，电 涡流传感器感应硅片上形成的涡流生成电流信号和电压信号，然后依次经过传输、差频、中 频放大、检波及低通、直流放大，最后输出电压和电流的模拟量并根据公式计算出太阳能硅 片的电阻率。本方法相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表 少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。 【附图说明】 为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对 本专利技术作进一步详细的说明，其中： 图1为本专利技术的结构框图。 【具体实施方式】 如图1所不，作为第一优选实施方式，本实施方式提供一种太阳能娃片电阻率电 涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，包括以下步骤： 步骤一，电涡流激励器Π 激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流 传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号； 步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信 号； 步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压 信号，第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号； 步骤四，将步骤三中的中频电压信号依次经过第一中频放大器进行中频放大、第 一检波及低通电路进行滤除交流分量、第一直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后 得到电压的模拟量V; 步骤五，将步骤三中的中频电流信号依次经过第二中频放大器进行中频放大、第 二检波及低通电路进行滤除交流分量、第二直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后 得到电流的模拟量i ; 步骤六，将步骤四和步骤五中电压的模拟量V和电流的模拟量i根据以下公式计 算出太阳能硅片的电阻率P : V L Ο = (---) t i AM 其中，L为涡流的圆形长度，A为涡流的面积，Μ为电涡流激励器Π 激励与电涡流 之间的耦合系数，t为太阳能硅片的厚度。 本专利技术的测试方法是基于电涡流激励器Π 激励硅片，电涡流传感器感应硅片上 形成的涡流生成电流信号和电压信号，然后依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直 流放大，最后输出电压和电流的模拟量并根据公式计算出太阳能硅片的电阻率。本方法相 较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作 稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。 本实施方式步骤一中电涡流传感器为线圈和电容并联的谐振回路；电涡流激励器 Π 生成频率为2. 725Mhz?2. 775Mhz，幅度为1. 5Vp-p±2mV的高频正弦波信号；电涡流激 励器Π的输入端连接有Π自动幅度控制器。 本实施方式步骤三中高频振荡源f2生成频率大于fl465Khz的高频正弦波信号； 高频振荡源f2的输入端连接有f2幅度控制器。 以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详 细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡 在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保 护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，电涡流激励器f1激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号；步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信号；步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压信号，第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号；步骤四，将步骤三中的中频电压信号依次经过第一中频放大器进行中频放大、第一检波及低通电路进行滤除交流分量、第一直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电压的模拟量V；步骤五，将步骤三中的中频电流信号依次经过第二中频放大器进行中频放大、第二检波及低通电路进行滤除交流分量、第二直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电流的模拟量i；步骤六，将步骤四和步骤五中电压的模拟量V和电流的模拟量i根据以下公式计算出太阳能硅片的电阻率：ρ=(Vi·LAM)t]]>其中，L为涡流的圆形长度，A为涡流的面积，M为电涡流激励器f1激励与硅片电涡流之间的耦合系数，t为太阳能硅片的厚度。...

【技术特征摘要】
1. 一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接 触测试，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，电涡流激励器Π 激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感 器感应所述涡流生成电流信号和电压信号； 步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信号； 步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压信号， 第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号； 步骤四，将步骤三中的中频电压信号依次经过第一中频放大器进行中频放大、第一检 波及低通电路进行滤除交流分量、第一直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到 电压的模拟量V; 步骤五，将步骤三中的中频电流信号依次经过第二中频放大器进行中频放大、第二检 波及低通电路进行滤除交流分量、第二直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到 电流的模拟量i ; 步骤六，将步骤四和步骤五中电压的模拟量V和电流的模拟量i根据以下公式计算出 太阳能硅片的电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜友钧，郑钰，赵丹，
申请(专利权)人：江苏瑞新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32