本发明公开了一种NLDMOS器件包括：P型衬底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分别形成有N+区，N阱中N+区的旁侧形成有长氧区，场氧形成于P阱、N阱和长氧区的上方，场氧上方形成有多晶硅层，隔离侧墙形成于场氧和多晶硅层的两侧；其中...

本发明公开了一种半导体器件，器件的漂移区中包括一掺杂浓度为缓慢增加的缓变区，缓变区位于硅片的背面一侧且缓变区的掺杂浓度大于均匀区的掺杂浓度。较高掺杂的缓变区能保证器件得到较低的导通电阻，同时，缓变区的掺杂浓度的增加速率得到了良好的控制，...

本发明公开了一种场阻断型半导体器件的制造方法，本发明方法通过在硅片的背面形成沟槽，能使场阻断层分割成深度小于等于激光退火能达到的第一有效深度的第一场阻断层、以及横向宽度小于等于2倍的第一有效深度的第二场阻断层，从而能对场阻断层进行三维方...

本发明公开了一种高压隔离N型LDMOS器件，在P型衬底上形成有一深N型阱，在所述深N型阱中形成有一较所述深N型阱深的非常深N型阱，在所述非常深N型阱中形成有一P型阱，在所述P型阱同所述深N型阱邻接区域上方形成有多晶硅栅，在位于所述多晶硅...

本发明公开了一种时钟同步读操作控制信号发生器，包括：四个标准寄存器组和二个数字逻辑模块；第一标准寄存器组接收被采样时序，输出被采样时序到第一数字逻辑模块；第二标准寄存器组接收外部精准时序，输出时序一；第三标准寄存器组接收外部精准时序和被...

本发明公开了一种USB芯片硅片级自动测试仪，包括：测试通道、失效数据存储器、随机存储器、非归零反相解码模块、数据文件和测试程序。本发明能实现将同时读取的多个USB芯片的握手响应信号或数据并分别存储于随机存储器中，从而能避免多个USB芯片...

本发明公开了一种电源电压检测电路，包括电源分压电路、比较器输入切换电路、电压比较电路和逻辑控制模块。电压比较电路包括过压比较器和欠压比较器。比较器输入切换电路分别和电源分压电路、电压比较电路和逻辑控制模块相连接并能使电压比较电路的输入信...

本发明公开了一种电压检测电路，包括分压电路和比较器。分压电路包括第一电容和第二电容。第一电容的第一端连接参考电压、第二端通过第一开关连接到电源电压。第二电容的第一端通过第二开关连接到参考电压，第二电容的第一端通过第三开关连接地电位；第二...

本发明公开了一种测定表面沟道PMOS多晶硅栅硼向金属或金属硅化物扩散的方法，利用基准MOSFET工艺的过程和参数，制备第一NMOS场效应管与第一表面沟道PMOS场效应管；利用降低热过程的MOSFET工艺，制备第二NMOS场效应管与第二表...

本发明公开了一种R-2R型数模转换器电路，包括有串联的控制逻辑、R-2R型数模转换器和开关，在输出端还具有一个接地的电容。当n位的二进制数字信号的任意相邻的4位中，包括至少一位从0转变为1，还包括至少一位从1转变为0；且所述发生转变的位...

本发明公开了一种防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构，包括第一、二N型场效应管、P型场效应管、第一、二、三反相器、第一、二耦合电容；第一N型场效应管的栅极接输入端，第二N型场效应管的栅极通过第三反相器接输入端，两N型场效应管源极...

本发明公开了一种全极磁场检测开关电路，包括一个霍尔器件、一个放大器、一电压产生器、一电压选择器、一个电压比较器、一输出逻辑，霍尔器件对穿过的磁场进行感应输出感应电压，放大器放大感应电压输出放大信号，电压产生器产生第一电压、第二电压、第三...

本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制造方法，包括步骤：1)制作钨通孔；2)干法刻蚀掉钨通孔顶部侧壁的钛层和钛氮化合物阻挡层；3)用有机酸洗掉残留聚合物；4)高温热氧化处理，在钨通孔顶部形成氧化钨；5)光刻和干法刻蚀，形成氧化钨阻变存储单...

本申请公开了一种钳位二极管，在P型外延上生长有N型埋层，在所述N型埋层上形成有高压P型阱；在高压P型阱的两侧形成有同N型埋层连通的重掺杂N型引线层；高压P型阱上部的中间处形成有P型阱，高压P型阱上部同P型阱两侧相邻接分别形成有N型阱；P...

本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括N型外延层下形成有P型注入层，N型外延层上部形成有沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅栅，沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，N型有源区位于P阱上方，其中，N型有源区中形成有圆形镂空结构，层间氧化介...

本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层上形成金属接触引出源漏极。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器...

本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层外侧的锗硅多晶硅层上形成金属接触来引出源漏极的。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能...

本申请公开了一种超级结器件的终端保护结构，在超级结器件的中间区域为电流流动区，所述电流流动区包含多个并行排列的电流流动区沟槽；超级结器件的终端保护结构成方形环绕于所述电流流动区的外周，超级结器件的终端保护结构包括多个短沟槽，短沟槽同所述...

本发明公开了一种沟槽功率MOS器件，其结构是，硅片外延层上形成有阱，阱内形成有源极重掺杂区，阱的掺杂类型同外延层及源极重掺杂区的掺杂类型相反，所述阱内形成有多个沟槽，沟槽壁上形成有绝缘栅氧化层，绝缘栅氧化层内底部填充多晶硅，顶部填充硅化...

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使发射区的锗硅层为多晶结构，从而能提高发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系数和增加器件的截止频率。本发明采用了先进的深...