本发明公开了一种低电压差分信号传输驱动器电路，包括：对称互补交叉开关电路，输出端输出差分信号，输入端连接输入信号和其反相信号。电流源和电流沉，用于为对称互补交叉开关电路提供电流。在差分正信号和差分负信号之间通过两个串联电阻取出共模信号。...

本发明公开了一种LDMOS晶体管，其结构是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+区作为源极，并形成有一P+区作为P阱接地极，所述N阱上部形成有一N+区作为漏极；所述作为源极的N+区与作为P阱接地极的P+区相邻接；所述...

本发明公开了一种低栅极电荷沟槽功率MOS器件，其是在硅衬底上水平排布两沟槽，屏蔽栅导电多晶硅淀积在沟槽内底部，栅极导电多晶硅位于沟槽内屏蔽栅导电多晶硅的上方，屏蔽栅导电多晶硅从位于栅极导电多晶硅中的深孔引出，将现有器件的垂直控制栅、屏蔽...

本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括：N型半导体衬底以及形成于N型半导体衬底上的P型外延层。齐纳二极管由形成于N型半导体衬底的表面的P+埋层和该P+埋层底部的N型半导体衬底组成。在P+埋层的正上方的P型外延层表面形成有一N+区，N+区和...

本发明公开了一种高压NLDMOS静电保护结构，在硅衬底上排列成多指状，包括：硅衬底上部形成有交替排列的高压N阱和高压P阱，器件左右最外侧的高压N阱中形成有相间排布的N型注入区和P型注入区，器件中间的高压N阱中形成有N型注入区，高压P阱中...

本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括：N型衬底上的P型外延层，P型外延层中并列形成有P型隔离阱和深P阱，所述P型隔离阱和深P阱与N型衬底有接触，形成在两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区，形成在P型注入区上方的N型注入区，形成在深...

本发明公开了一种半导体制品钨槽接触电阻测试结构，在硅衬底上形成有三个依次相邻的有源区，三个有源区与衬底同为N型或P型；第一个有源区上形成的X个钨槽构成第一钨槽阵列同接第一金属层，第二个有源区上形成的Y个钨槽构成第二钨槽阵列同接第二金属层...

本发明公开了一种P型LDMOS表面沟道器件的制造工艺，采用多晶硅和金属硅化物作为栅极，并调整了沟道注入、长时间高温推进、多晶硅栅极硼离子P型掺杂的工艺次序，在栅极形成时没有掺杂硼杂质，这样就可以进行长时间高温推进以形成足够宽的沟道，避免...

本发明公开了一种PLDMOS的制造方法，沟道区的形成工艺包括如下步骤：采用光刻工艺形成一光刻胶窗口将N阱的形成区域打开；采用多次N型离子注入工艺在N阱形成区域形成N阱；采用灰化处理的工艺将一定厚度的光刻胶去除使窗口扩大；进行阈值电压调整...

本发明公开了一种光刻关键尺寸的量测标记，其包含至少一条线条图形和与该线条图形相连接的多个支撑图形。本发明通过在光刻标记图形周围增加一些支撑点，增加了光刻胶与当前标记层的接触面积，加大了光刻胶之间的张力，从而有效避免了光刻关键尺寸量测标记...

本发明公开了一种单端电感，单端电感的金属线圈呈一平面螺旋环绕结构，从金属线圈的内圈到外圈，金属线圈的金属宽度逐渐变宽。高频下，靠近内圈的各位置的趋肤深度要小于外圈的趋肤深度，故靠近内圈的金属宽度减少后，靠近内圈的各位置处的电阻并不会增加...

本发明公开了一种电感，包括电感线圈和衬底结构。衬底结构包括：P型半导体衬底、N型外延层和多个条形结构的采用光刻和离子注入工艺形成的P型掺杂区。P型掺杂区的深度大于等于N型外延层的厚度。P型掺杂区将N型外延层分隔成多个N型掺杂区，并形成N...

本发明公开了一种金属熔丝的制造方法，包括如下步骤：步骤一、形成次顶层金属、层间膜、顶层金属和钝化层，次顶层金属包括次顶层连线金属和金属熔丝。步骤二、利用一层光罩将金属熔丝区域打开。步骤三、对金属熔丝区域的钝化层和层间膜进行刻蚀将金属熔丝...

本发明公开了一种改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法，制作N型轻掺杂硅衬底；在N型轻掺杂硅衬底的上端面形成金属前介质层；刻蚀金属前介质层，在N型轻掺杂硅衬底的上端面定义出制作钴硅化合物层的区域；采用湿法清洗N型轻掺杂硅衬底的表面；在金属...

本发明公开了一种改善沟槽型NMOS漏源击穿电压的方法及其结构，通过在沟槽型NMOS的沟槽底部，增加P型浮岛来实现。另外，本发明的沟槽型NMOS的结构，包括：传统的沟槽型NMOS结构，以及沟槽底部的P型浮岛。本发明通过在沟槽刻蚀之后、去除...

本发明公开了一种薄硅片的制备方法，包括步骤：1）在传统厚度的硅片上生长氮化硅或氮氧化硅；2）在硅片背面涂光刻胶，硅片周边曝光、显影，使光刻胶只保留在硅片背面的周边；3）在硅片背面无光刻胶的地方刻蚀沟槽；4）在沟槽内填充导电导热材料；5）...

本发明公开了一种能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，包括如下步骤：第一步，进行版图设计；第二步，对工艺条件进行优化，确定发射极窗口的目标尺寸；第三步，基于优化的工艺条件，在平坦片上，通过测试掩膜板上的特征图形完成OPC数...

本发明公开了一种用于背面EMMI失效分析的装置，包括一PVC电路板、一信号输入输出底座；所述PVC电路板的中心设置有一透明的有机玻璃片，有机玻璃片的四周设置有多个金属引脚；PVC电路板的四个角分别设置有电路板金属衬垫；每个金属引脚分别通...

本发明公开了一种高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗的方法，包括如下步骤：先对设备腔体加热到设定时间；然后分两步对设备腔体进行刻蚀清洗。本发明既能提高清洗的效率，又能节约成本。

本发明公开了一种基准电压源，运算放大器，NMOS驱动管，PMOS驱动管和比较器。比较器通过外部电压的分压和参考电压的比较来实现在外部电压为高电平时控制PMOS驱动管关闭，在外部电压为低电平时控制PMOS驱动管导通。外部电压的分压由串联于...