本发明公开了一种瞬变电压抑制二极管PN结的实现方法，在P型衬底上涂敷光刻胶，通过光刻定义出器件的沟槽，用光刻胶保护沟槽之外的区域，进行干法刻蚀得到沟槽；去除光刻胶，在沟槽中填充本征多晶硅；采用选择性刻蚀去除多余的本征多晶硅，经刻蚀后本征...

本发明公开了一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制备方法，包括步骤：1）刻蚀倒梯形沟槽；2）在沟槽内生长栅氧，并沉积栅极多晶硅；3）回刻栅极多晶硅，并过刻蚀至沟槽内部；4）沉积二氧化硅层间电介质，使沟槽上部完全填满；5）回刻二氧化硅层间电...

本实用新型公开了一种增强散热型变频器电气柜，该电气柜的侧面开设进风口和出风口，进风口处安装可清洗式进风过滤器，所述可清洗式进风过滤器连接有一根通风软管，该通风软管的另一端使用磁性连接口与变频器进风口连接；出风口处安装变频器散热风道排风扇...

本实用新型公开了一种兼容晶圆针测和封装测试的多功能探针卡，包括基板，所述基板既可安装探针进行晶圆针测，也可安装插座进行小批量封装评价测试，所述基板由外向内设有弹簧触点、探针焊点及中心无电路区域；所述基板外围区域设有弹簧触点，该弹簧触点与...

本实用新型公开了一种晶圆翘曲测量仪，其包括底板、左侧框、右侧框、刻度板、遮盖板；底板为一平板；左侧框、右侧框的下端分别固定在底板上，并且左侧框、右侧框的轴线垂直于底板；刻度板固定在底板、左侧框、右侧框之间，并且刻度板为透明材质，刻度板上...

本发明公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，在低阻衬底上方淀积低掺杂浓度的外延层以降低TVS器件的电容，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，有效减轻了硼杂质扩散带来的问题。再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N...

本发明公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两种埋层作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节瞬态电压抑制器的箝位电压，在埋...

本发明公开了一种高压P型LDMOS器件，是利用浅槽隔离结构刻蚀工艺来改善其击穿电压的方法，将高压PLDMOS的漏扩展区P型阱的注入能量微调，使垂直方向参杂浓度的峰值位于硅片中0.3μm～0.5μm深度，与浅槽隔离结构刻蚀深度相近，通过浅...

本发明公开了一种高击穿电压P型LDMOS器件，具有元胞区和位于元胞区外围环绕的保护环结构，所述元胞区内含有：一第一N型深阱，第一N型深阱中还具有第二N阱及浅P型区和P型漂移区，三者在第一N型深阱中从左至右依次排列相互抵靠；第二N阱中具有...

本发明公开了一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构，包括：版图设计完全相同并列排布的两个非对称LDMOS器件，所述两个非对称LDMOS器件共P型阱区，所述共P型阱区中形成有间隔排列的N型重参杂区和P型重参杂区；所述两个非对称LDMOS器...

本发明公开了一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构，包括：硅基板衬底上生长有与其同型掺杂的有源区或多晶硅，一侧形成有非封闭型多边形组成的折角区域，非封闭型多边形每一边具有n个方块数，所述折角区域一端具有测量端口五，另一端与一直...

本发明公开了一种深沟槽相貌分析样品的制备方法，步骤一、在硅基片上形成深沟槽，采用低温低压气相沉积的方式在该深沟槽内生长第一层二氧化硅；或者在所述深沟槽内先填充部分外延硅，然后再采用低温低压气相沉积的方式在该深沟槽内生长第一层二氧化硅；步...

本发明公开了一种解决晶体管的IdVg曲线双峰现象的方法，包括步骤：1）在硅衬底上依次生长栅氧化层和多晶硅层；2）进行阱注入；3）进行多晶硅注入；4）进行晶体管制造的后续步骤，包括：多晶硅刻蚀、轻掺杂漏注入、源漏注入、源漏退火。本发明与传...

本发明公开了一种低压LDMOS的制造方法，采用两次生长栅氧化层，第一次生长厚氧化层，然后打开长度小于沟道长度的窗口，再生长一层薄氧化层，最后刻蚀后使栅氧化层呈现中间薄两头厚的形状，来调节器件的阈值电压，采用该方法的LDMOS在获得高击穿...

本发明公开了一种低压LDMOS器件的制造方法，其是通过控制沟道区两端上方的栅氧化层的厚度来调整LDMOS的阈值电压，且同时保证了器件的击穿电压。本发明所涉及的方法不需要增加额外工艺即可实现，不增加制造成本。

本发明公开了一种锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，包括：由低掺杂N型外延工艺制备集电区，底部有重N型掺杂的低电阻埋层通道，在集电极有源区用高剂量中能量的N型离子注入形成集电极引出端；形成隔离区后直接进行表面清洗和较厚缓冲层的锗硅外延...

本发明公开了一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法，包括以下步骤：第一步，将样品倒置，放入质量百分比为49%的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟；在浸泡的同时，每30秒用去离子水冲洗之后，再用氮气枪吹一下样品表面；第二步，如N型MO...

本发明公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多晶硅生长区域内生长多...

本发明公开了一种LDMOS阵列的仿真方法，针对该种LDMOS版图阵列结构，根据版图中可变宽度的尺寸Wy和拱形门个数N，建立了一宏模型，该宏模型中内嵌了该种LDMOS的漏端漂移区的总等效宽度的计算公式，并内嵌了等效沟道宽度为该种LDMOS...

本发明公开了一种光刻掩膜版的良率提升方法，该方法是在光刻亚分辨率辅助图形上增加支撑图形。该方法通过在光刻亚分辨率辅助图形上增加一些小的支撑图形，使光刻胶在局部形成比较大的光刻胶形貌，从而增加了光刻胶与衬底的粘附力，避免了光刻胶倒塌，达到...