TVS器件及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两种埋层作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节瞬态电压抑制器的箝位电压，在埋层上方淀积低掺杂浓度的外延层，器件表面利用N型多晶硅和P型多晶硅引出电极，并且利用热扩散在两个表面二极管处形成浅结，降低结附近的掺杂浓度，以降低TVS器件的电容。本发明专利技术还公开了所述TVS器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两种埋层作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节瞬态电压抑制器的箝位电压，在埋层上方淀积低掺杂浓度的外延层，器件表面利用N型多晶硅和P型多晶硅引出电极，并且利用热扩散在两个表面二极管处形成浅结，降低结附近的掺杂浓度，以降低TVS器件的电容。本专利技术还公开了所述TVS器件的制造方法。【专利说明】TVS器件及制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种TVS器件，本专利技术还涉及所述TVS器件的制造方法。
技术介绍
电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因，常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等。一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制。TVS(Transient Voltage Suppressor)或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TVS器件，其特征在于：在P型低阻衬底上具有一层P型埋层，埋层上是P型外延层；在所述P型外延层中，具有N型隔离阱和P型隔离阱呈水平排布；所述N型隔离阱中，从下至上依次为重掺杂N型埋层、N型外延层及重掺杂P型区，所述重掺杂N型埋层与衬底上的P型埋层接触；在所述重掺杂P型区之上，淀积有P型多晶硅与重掺杂P型区接触，P型多晶硅之上覆盖金属硅化物；所述P型隔离阱中，从下至上依次为P型外延及重掺杂N型区，P型外延层与衬底上的P型埋层接触；在所述重掺杂N型区之上，淀积有N型多晶硅与重掺杂N型区接触，N型多晶硅之上覆盖金属硅化物；P型外延层之上有金属连线及两个接触孔，分别连接到N型阱上方的金属硅化物和P...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石晶，刘冬华，钱文生，胡君，段文婷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：