【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，在低阻衬底上方淀积低掺杂浓度的外延层以降低TVS器件的电容，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，有效减轻了硼杂质扩散带来的问题。再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两层埋层均作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节TVS的箝位电压，在有源区两侧采用扩散隔离，并由此连接埋层引出电极。本专利技术还公开了所述TVS器件的制造方法。【专利说明】TVS器件及制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种TVS器件，本专利技术还涉及所述TVS器件 的制造方法。
技术介绍
电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因，常给人们带来无 法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰 及静电放电等。一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制。TVS (Transient Voltage Suppressor)或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展 起来的一种新产品，TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是...
【技术保护点】
一种TVS器件，其特征在于：在P型低阻衬底上具有一层P型埋层，埋层上具有P型外延层；在所述P型外延层中，具有N型隔离阱和P型隔离阱呈水平排布；所述N型隔离阱中，从下至上依次为重掺杂N型埋层、N型外延层及重掺杂P型区，所述重掺杂N型埋层与衬底上的P型埋层接触；所述P型隔离阱中，从下至上依次为P型外延及重掺杂N型区，P型外延层与衬底上的P型埋层接触；P型外延之上具有两接触孔，分别连接到重掺杂P型区及重掺杂N型区，金属连线分别连接接触孔引出电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石晶，刘冬华，钱文生，胡君，段文婷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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