【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多晶硅生长区域内生长多晶硅。本专利技术的外延生长工艺中，通过使生长温度设置在较低值，能降低多晶硅的表面的粗糙度；以及通过调整外延生长工艺中的压强，能使多晶硅和单晶硅的外延生长速率相同，从而能使外延生长后硅基底表面平整，提高硅基底的表面平整度。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
平面光波导(PlanarLightwave Circuit, PLC)功率分路器(Optical PowerSplitter)能通过半导体工艺制作,光分路的功能在芯片内实现,芯片两端通过封装稱合输入输出的光纤阵列实现和光纤的链接。PLC工艺具有:一、对波长不敏感；二、分光均匀性较好；三、可以拉制1X32路以上分光器件，且分光路数越多单位成本越便宜；四、器件体积较小等优势，市场前景广阔。PLC工艺的缺点:1、...
【技术保护点】
一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域，所述单晶硅生长区域内的所述多晶硅籽晶层和所述二氧化硅掩蔽层都被去除，所述单晶硅生长区域外的所述多晶硅籽晶层和所述二氧化硅掩蔽层保留并作为多晶硅生长区域；步骤三、采用外延生长工艺在所述单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在所述多晶硅生长区域内生长多晶硅；所述外延生长工艺的温度设置在850℃～900℃，使所述多晶硅表面的粗糙度减少；调整所述外延生长工艺的压强，使所述单晶硅的生长速率等于所述多晶硅的生长速率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，高杏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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