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本发明公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多晶硅生长区域内生长多晶硅...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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