用于生长半导体晶体的半导体设备和方法技术

一种半导体设备包括：基座衬底；在所述基座衬底上的图案；在所述基座衬底上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的外延层。所述图案是自组装图案。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装图案；在所述碳化硅衬底上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成外延层。一种半导体设备，包括：包括图案凹槽的基座衬底；以及在所述基座衬底上的外延层。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装凸起；中形成图案凹槽；以及在所述碳化硅上形成外延层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种半导体设备包括：基座衬底；在所述基座衬底上的图案；在所述基座衬底上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的外延层。所述图案是自组装图案。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装图案；在所述碳化硅衬底上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成外延层。一种半导体设备，包括：包括图案凹槽的基座衬底；以及在所述基座衬底上的外延层。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装凸起；中形成图案凹槽；以及在所述碳化硅上形成外延层。【专利说明】
本公开涉及一种。
技术介绍
在支撑半导体设备的半导体衬底中，提高半导体设备的效率和性能的最大研究项目是减少在衬底上生长的半导体层的晶体缺陷并且改善半导体层的晶粒。可以形成缓冲层来减少在晶体生长过程中的位错缺陷。为了形成缓冲层，就还需要通过掩模形成过程和刻蚀过程或再生长过程来在衬底的表面上形成图案的过程。因此，由于额外的过程，制造过程变得复杂，并且增加了制造成本。此外，衬底表面的质量还会恶化。
技术实现思路
技术问题实施例提供了一种减少过程成本并且提高衬底表面的质量的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金武成，曹荣得，孙昌铉，金范燮，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：
国别省市：